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n-type buffer layer
Vertaling van "n-type buffer layer" in Frans
couche tampon de type n
thus, an n-type buffer layer for heterojunction having a good adhesion and stable characteristics is formed on a light-absorbing layer of a p-type compound semiconductor.
une couche tampon de type n d'hétérojonction présentant une bonne adhérence et des caractéristiques stables est ainsi formée sur une couche d'absorption de la lumière d'un semi-conducteur composé de type p.
a method for manufacturing a compound thin-film solar cell in which an n-type buffer layer for heterojunction is formed on a light-absorbing layer made of a p-type compound semiconductor and formed on a back electrode
un procédé de fabrication d'une cellule solaire à film mince dans laquelle une couche tampon de type n d'hétérojonction est formée sur une couche d'absorption de la lumière faite d'un semi-conducteur composé de type p et formée sur une électrode arrière
The gradient of the carrier concentration at the section where the ntype drift layer (1) and the n-type buffer layer (4) are connected is 20-2000-4.
Le gradient de la concentration des porteurs au niveau de la section où la couche de dérive de type N<sp /> (1) et la couche tampon de type N (4) sont connectées est de 20-2000-4.
An n-type buffer layer (4) is provided between the n type drift layer (1) and the n-type cathode layer (3).
Une couche tampon de type N (4) est réalisée entre la couche de dérive de type N<sp /> (1) et la couche de cathode de type N (3).
a field controlled semiconductor device of SiC comprising superimposed in the order mentioned a drain, a highly doped substrate layer, a highly doped n-type buffer layer and a low doped n-type drift layer
un dispositif à semi-conducteur à effet de champ en SiC et comprenant des éléments superposés dans l'ordre suivant: un drain, une couche de substrat fortement dopée, un couche tampon de type n fortement dopée et une couche de migration de type n faiblement dopée
The second N-type buffer layer (20) does not form an ohmic contact with the collector electrode (21).
La seconde couche tampon de type n (20) ne forme pas un contact ohmique avec l'électrode collectrice (21).
The impurity concentration of the second N-type buffer layer (20) decreases toward the collector electrode (21).
La concentration d'impuretés de la seconde couche tampon de type n (20) diminue en direction de l'électrode collectrice (21).
In the termination region, a second N-type buffer layer (20) is provided below the N-type drift layer (1).
Dans la région d'extrémité, une seconde couche tampon de type n (20) est prévue sous la couche de dérive de type n (1).
A P-type collector layer (19) is provided below the first N-type buffer layer (18).
Une couche de collecteur de type p (19) est prévue sous la première couche tampon de type n (18).
over an n-type substrate, an n-type buffer layer, an n-type clad layer, an active layer, a p-type clad layer, and a p-type cap layer are sequentially formed
une couche d'amortissement de type n, une couche plaquée de type n, une couche active, une couche plaquée de type p et une couche d'encapsulation de type p sont formées successivement sur un substrat de type n
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