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post-CMP
Vertaling van "post-CMP" in Frans
post-CMP
post-planarisation mécano-chimique
Specifically, the present invention relates to a method of post-CMP or post-etch cleaning.
Plus précisément, l'invention concerne un procédé de nettoyage post-CMP ou post-gravure.
The chemical compositions of the present invention are also useful for post-CMP cleaning of the wafer itself.
Les compositions chimiques de l'invention sont également utiles pour le nettoyage post-CMP de la plaquette elle-même.
the extensions reduce attractive forces acting on the central body allowing the abrasive particles to be removed from the semiconductor wafer during a post-CMP cleaning process.
les extensions diminuent les forces d'attraction agissant sur le corps central, ce qui permet d'éliminer les particules abrasives de la plaquette à semi-conducteurs au cours d'un procédé de nettoyage post-CMP.
a post-CMP rinse formulation for use in semiconductor processing, characterised in that the formulation is free or essentially free of triazole species and contains
une formule de rinçage post-CMP à utiliser dans un traitement de semi-conducteur; elle se caractérise en ce que la formule est exempte ou presque complètement exempte d'espèce triazole et elle contient
low ph post-cmp residue removal composition and method of use
composition d'élimination de résidu post-cmp à faible ph et procédé d'utilisation
post-cmp cleaning of semiconductor wafer surfaces using a combination of aqueous and cryogenic cleaning techniques
nettoyage post-cmp de la surface de tranches de semi-conducteurs par une combinaison de techniques aqueuses et cryogéniques
POST-CMP REMOVAL USING COMPOSITIONS AND METHOD OF USE
ELIMINATION POST-CMP À L'AIDE DE COMPOSITIONS ET PROCÉDÉ D'UTILISATION
NEW ANTIOXIDANTS FOR POST-CMP CLEANING FORMULATIONS
NOUVEAUX ANTIOXYDANTS POUR FORMULATION DE NETTOYAGE POST-CMP
The composition achieves highly efficacious cleaning of the post-CMP residue and contaminant material from the surface of the microelectronic device while being compatible with barrier layers.
La composition retire très efficacement les résidus et les impuretés issus d'un CMP qui se sont déposés sur la surface d'un dispositif microélectronique, et elle est compatible avec les couches d'arrêt.
A cleaning solution for cleaning microelectronic substrates, particularly for post-CMP or via formation cleaning.
La présente invention concerne une solution de nettoyage destinée au nettoyage des substrats micro-électroniques, en particulier au nettoyage qui suit la planarisation chimico-mécanique ou la formation des trous d'interconnexion.
The composition achieves highly efficacious cleaning of the post-CMP residue and contaminant material from the surface of the microelectronic device while being compatible with barrier layers, wherein the barrier layers are substantially devoid of tantalum or titanium.
La composition permet un nettoyage hautement efficace du résidu et du matériau contaminant après CMP hors de la surface du dispositif microélectronique tout en étant compatible avec des couches barrière, les couches barrière étant pratiquement exemptes de tantale ou de titane.
A brush for cleaning of substrates such as for post chemical mechanical polishing (post-CMP) of the substrates, utilizes asymmetrical nodules or nodules with varying spacing, size, features, densities to provide an improved cleaning of substrates.
Une brosse destinée au nettoyage de substrats, tel que le post-polissage chimico-mécanique (post-CMP) des substrats, utilise des nodules asymétriques ou des nodules ayant un espacement, une taille, des caractéristiques, des densités variables pour permettre un nettoyage amélioré de substrats.
The present invention provides auto-stopping CMP slurry compositions that minimize post-CMP non- uniformity and also extend the time that polishing can be continued beyond the end point without the risk of over- polishing the dielectric silicon dioxide film.
La présente invention concerne des compositions de pâte CMP à auto-arrêt qui minimisent la non-uniformité post CMP et prolongent également le temps pendant lequel le polissage peut être poursuivi au-delà du point limite sans risquer de trop polir le film de dioxyde de silicium diélectrique.
Synoniemen voor post-CMP in het Engels
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