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programming a memory cell
Vertaling van "programming a memory cell" in Frans
programmation d'une cellule de mémoire
programmer une cellule mémoire
Subject matter disclosed herein relates to memory devices and, more particularly, to programming a memory cell.
L'invention concerne des dispositifs de mémoire, et plus particulièrement la programmation d'une cellule de mémoire.
a method and circuitry for programming a memory cell to one of at least three amounts of charge
procédé et circuit de programmation d'une cellule de mémoire pour une des trois quantités (au minimum) de charge
various programming techniques for nonvolatile memory involve programming a memory cell relative to a target threshold level
diverses techniques de programmation pour une mémoire non volatile, qui mettent en jeu la programmation d'une cellule mémoire par rapport à un niveau de seuil cible
in a memory device including an array of memory cells, each memory cell having more than two possible states, a method for programming a memory cell to a desired state is disclosed
méthode de programmation d'une cellule de mémoire selon un état souhaité dans un dispositif de mémoire comportant une série de cellules de mémoire dont chaque cellule présente plus de deux états possibles
a method of programming a memory cell that includes generating a programming pulse with stepped portions and programming the memory cell with the programming pulse.
un procédé de programmation d'une cellule de mémoire consistant à produire une impulsion de programmation à parties étagées et à programmer ladite cellule de mémoire à l'aide de ladite impulsion de programmation.
a method of programming a memory cell comprises applying a reverse bias to the memory cell using a temporary resistor in series with the memory cell
un procédé de programmation d'une cellule de mémoire, lequel procédé comprend l'application d'une polarisation inverse à la cellule de mémoire à l'aide d'une résistance temporaire en série avec la cellule de mémoire
furthermore, a method is provided herein for programming a memory cell, in which the amount of current needed during a writing procedure is advantageously reduced relative to the amount of current needed in conventional writing procedures
par ailleurs, l'invention porte sur un procédé de programmation d'une cellule de mémoire grâce auquel la quantité de courant nécessaire au cours du processus d'écriture est avantageusement réduite par rapport à la quantité de courant nécessaire dans les processus d'écriture conventionnels
Some embodiments include methods of programming a memory cell that has phase change material adjacent a drain region.
Dans certains modes de réalisation, l'invention porte sur des procédés qui permettent de programmer une cellule mémoire comprenant un matériau à changement de phase adjacent à la région drain.
in some embodiments, the phase change material may be adjacent both the source region and the drain region. some embodiments include methods of programming a memory cell that has phase change material adjacent a drain region
dans certains modes de réalisation, l'invention porte sur des procédés qui permettent de programmer une cellule mémoire comprenant un matériau à changement de phase adjacent à la région drain
PROGRAMMING A MEMORY CELL WITH A DIODE IN SERIES BY APPLYING REVERSE BIAS
PROGRAMMATION D'UNE CELLULE DE MÉMOIRE AU MOYEN D'UNE DIODE EN SÉRIE PAR APPLICATION D'UNE POLARISATION INVERSE
MEMORY CELLS, NON-VOLATILE MEMORY ARRAYS, METHODS OF OPERATING MEMORY CELLS, METHODS OF READING TO AND WRITING A MEMORY CELL, AND METHODS OF PROGRAMMING A MEMORY CELL
CELLULES DE MÉMOIRE, MATRICES DE MÉMOIRE NON VOLATILE, PROCÉDÉS D'EXPLOITATION DE CELLULES DE MÉMOIRE, PROCÉDÉS DE LECTURE ET D'ÉCRITURE DE CELLULE DE MÉMOIRE, ET PROCÉDÉS DE PROGRAMMATION DE CELLULE DE MÉMOIRE
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