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semiconductor buffer layer
Vertaling van "semiconductor buffer layer" in Frans
couche tampon semi-conductrice
couche tampon de semi-conducteur
Therefore, an irregular shape on an atom scale can be formed on the third semiconductor buffer layer in various two-dimensional directions at high density.
Cela permet de réaliser sur la troisième couche tampon semi-conductrice une forme irrégulière à l'échelle atomique selon divers axes bidimensionnels, avec une densité élevée.
In some embodiments, a semiconductor buffer layer can be formed on an upper surface of the base substrate prior to forming the sacrificial phosphide-buffer layer.
Selon certains modes de réalisation, une couche tampon semi-conductrice peut être formée sur une surface supérieure du substrat de base avant de former la couche tampon sacrificielle qui contient des phosphures.
Preferably, a thickness of the semiconductor buffer layer is selected to compensate for over-etching due to non-uniform etching on a semiconductor wafer on which the electronic device is fabricated.
De préférence, l'épaisseur de la couche tampon semi-conductrice est choisie pour compenser la surgravure résultant de la gravure non uniforme de la plaquette semi-conductrice sur laquelle est fabriqué le dispositif électronique.
Therefore, steps can be formed densely in various two-dimensional directions on the third semiconductor buffer layer, thereby crystal-growing quantum dots on a two-dimensional surface uniformly at high density.
Cela fait qu'il est possible de former de façon dense des gradins selon différents axes tridimensionnels sur la troisième couche tampon semi-conductrice, et par conséquent l'obtention des points quantiques par croissance des cristaux sur une surface bidimensionnelle, avec une densité élevée.
a step in which the growth of a nitride semiconductor is initiated on those parts of the polycrystalline SiC substrate which are exposed in the openings of the mask pattern to embed the mask pattern therewith and deposit a nitride semiconductor buffer layer having a flat surface
une étape dans laquelle la croissance d'un semi-conducteur au nitrure est initiée sur les parties du substrat au SiC polycristallin qui sont exposées dans les ouvertures du motif de masque pour y incorporer le motif de masque et déposer une couche tampon semi-conductrice au nitrure de surface plate
a VCSEL having a metallic heat spreading layer adjacent a semiconductor buffer layer containing an insulating structure
un laser à cavité verticale et à émission par la surface comportant une couche de dissipation de chaleur métallique adjacente à une couche tampon semi-conductrice contenant une structure d'isolation
and a step in which a GaN compound semiconductor layer is grown on the nitride semiconductor buffer layer.
et une étape dans laquelle une couche semi-conductrice composée au GaN croît sur la couche tampon semi-conductrice au nitrure.
of the compound semiconductor layers which constitute the compound semiconductor buffer layer
parmi les couches de semi-conducteur composé qui constituent la couche tampon de semi-conducteur composé
the first compound semiconductor photoelectric conversion cell and the compound semiconductor buffer layer are disposed in adjacent positions
la première cellule de conversion photoélectrique à semi-conducteur composé et la couche tampon de semi-conducteur composé sont placées en des positions adjacentes
a semiconductor device includes a semiconductor buffer layer having a first conductivity type and a semiconductor mesa having the first conductivity type on a surface of the buffer layer
un dispositif à semi-conducteurs qui peut comprendre une couche tampon à semi-conducteurs ayant un premier type de conductivité et une structure mésa à semi-conducteurs ayant le premier type de conductivité sur une surface de la couche tampon
and a compound semiconductor buffer layer
et une couche tampon de semi-conducteur composé
The temperature of the semiconductor substrate is then adjusted to a temperature suitable for II-VI semiconductor growth, and a crystalline II-VI semiconductor buffer layer (16) grown on the III-V buffer layer by alternating beam epitaxy.
On règle ensuite la température du substrat à semiconducteur à une température appropriée au tirage du semiconducteur II-VI, et on procède au tirage d'une couche tampon (16) à semiconducteur II-VI cristalline sur la couche tampon III-V en alternant l'épitaxie du faisceau.
The n-type compound semiconductor buffer layer (10) contains at least one of tin and germanium.
La couche-tampon à semi-conducteur composé de type n contient de l'étain et/ou du germanium.
Synoniemen voor semiconductor buffer layer in het Engels
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