According to the above constitution, a method for manufacturing a light emitting element can be provided which can suppress the occurrence of hillock in the formation of a thick current diffusion layer by hydride vapor phase epitaxial growth.
Selon la constitution ci-dessus, un procédé de fabrication d'un élément électroluminescent peut être proposé pour supprimer l'occurrence d'un monticule lors de la formation d'une couche de diffusion de courant épaisse par une croissance épitaxiale en phase vapeur d'hydrure.
and a translucent current diffusion layer stacked at least on the high-concentration p-type semiconductor layer.
et une couche de diffusion de courant translucide empilée au moins sur la couche semi-conductrice de type p à forte concentration.
The second contact layer does not overlap the opening in the insulating layer, and the thickness of the current diffusion layer is more than that of the first contact layer.
La seconde couche de contact ne déborde pas sur l'ouverture dans la couche isolante et l'épaisseur de la couche de diffusion de courant est supérieure à celle de la première couche de contact.
and a second current diffusion layer formed on the side of the other main surface of the light emitting layer
et une seconde couche de diffusion de courant formée sur le côté de l'autre surface principale de la couche électroluminescente
formed on the current diffusion layer
formé sur la couche de diffusion de courant
characterized in that the current diffusion layer is composed of a conductive boron-phosphide-based semiconductor and has a bandgap at room temperature wider than that of the light-emitting layer.
caractérisée en ce que la couche de diffusion de courant est composée d'un semi-conducteur à base de phosphure de bore conducteur et possède une bande interdite à la température ambiante plus large que celle de la couche électroluminescente.
this invention provides a method for manufacturing a light emitting element by epitaxially growing a luminescent layer part of a first group III-v compound semiconductor and a current diffusion layer provided in that order on a single crystal substrate for growth
la présente invention concerne un procédé de fabrication d'un élément électroluminescent par la croissance épitaxiale d'une partie de couche luminescente d'un premier semi-conducteur à composé du groupe III-v et d'une couche de diffusion de courant dans cet ordre sur un substrat monocristallin destiné à la croissance
and a current diffusion layer provided on the light-emitting layer and composed of a group III-v compound semiconductor
et une couche de diffusion de courant prévue sur la couche électroluminescente et formée d'un composé semi-conducteur de groupe III-v
METHOD FOR FORMING CURRENT DIFFUSION LAYER IN SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE COUCHE DE DIFFUSION DE COURANT DANS UN DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR
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Sinônimos e analogias para "current diffusion layer" em inglês