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memory cell array
Tradução de "memory cell array" em japonês
Provided is a semiconductor storage device wherein data can be rewritten at a high speed with a small current consumption on a memory cell array having a variable resistive element.
可変抵抗素子を備えてなるメモリセルアレイに対するデータの書き換えが高速且つ低消費電流で可能な半導体記憶装置を提供する。
A non-volatile storage device in which the bit lines and word lines of a memory cell array can be wired at minimum intervals is provided.
メモリセルアレイのビット線およびワード線を、最小間隔で配線することを可能とする不揮発性記憶装置を提供する。
To overcome this "memory wall," the speed of the control circuitry that transfers data between the memory cell array and external data bus must be increased.
このメモリの壁を乗り越えるには、メモリセルアレイと外部データバス間のデータ転送を担う制御回路の高速化が不可欠です。
A nonvolatile semiconductor storage device provided with a highly integrated memory cell array wherein consumption current increase caused by a transient current due to potential change of a bit line and a word line is suppressed during shifts among modes of reading, writing and erasing.
高集積化されたメモリセルアレイにおいて、読み出し、書き込み、消去の各動作モード間の移動の際に、ビット線とワード線の電位変化に伴う過渡電流によって生じる消費電流増加を抑制する不揮発性半導体記憶装置を提供する。
Provided is a nonvolatile memory device with which it is possible to lay bit lines and word lines of a memory cell array with minimum space therebetween, without disposing margins in designs of read circuits.
読出し回路の設計にマージンを設けることなく、メモリセルアレイのビット線およびワード線を、最小間隔で配線することを可能とする不揮発性記憶装置を提供する。
With the present structure, a highly complex step such as integrated working of the resistive random-access material and silicon becomes unnecessary, and it is possible to provide a memory cell array with a simpler process than before.
係る構造により、抵抗変化材料とシリコンとを一括加工するような、高難易度な工程が不要となり、より平易なプロセスでメモリセルアレイを提供しうる。
Pixel data in a first frame (reference frame) is stored in a straight binary format in a unit A of a memory cell array section 20a.
第１のフレーム（参照フレーム）の画素データを、メモリセルアレイ部２０ａのユニットＡに、ストレートバイナリの形式で記憶する。
Pixel data in a second frame (search frame) is stored in a two's complement format in a unit B of a memory cell array section 20b.
第２のフレーム（探索フレーム）の画素データを、メモリセルアレイ部２０ｂのユニットＢに２の補数の形式で記憶する。
Since the read amplifier for reading the erase setting information stored in the volatile memory cell array is provided separately for the erase operation and the read operation, it is possible to read independently for each operation and store the erase setting information with a high storage density by using a minimum storage capacity.
揮発性メモリセルアレイに格納されている消去設定情報を読み出す読出しアンプを、消去動作と読出し動作とで個別に備えるので、動作ごとに独立して読み出すことができ、消去設定情報を高い記憶密度であって必要最小限の記憶容量で格納することができる。
Moreover, a sense amplifier circuit that uses a single bit line to read data from a memory cell is disposed in a space appearing in the memory cell array, thereby effectively using the area.
さらに、メモリセルからのデータを１本のビット線により読み出すセンスアンプ回路をメモリセルアレイの中間にできるスペースに配置レイアウトすることで面積の有効活用が図られる
If the read burst length signal represents one burst length and the first and the second control access commands include a read request, the data input/output control circuit reads out from a memory cell array M bits of data respectively in response to read requests of the first and the second control access commands.
読み出しバースト長信号が１バースト長を示しかつ第１および第２の制御アクセスコマンドが読み出し要求を含む場合、データ入出力制御回路は、第１および第２の制御アクセスコマンドの読み出し要求に対応してメモリセルアレイからそれぞれＭビットのデータを読み出す。
A memory cell array (1) includes a plurality of memory cells arranged in a matrix and storing data by use of n values exhibiting first, second through n-th states (where n is a natural number equal to or greater than two).
メモリセルアレイ１には、第１、第２乃至第ｎの状態からなる（ｎは２以上の自然数）ｎ値によりデータを記憶する複数のメモリセルがマトリックス状に配置されている。
An auxiliary cell array (2) is arranged to be connected to a word line of the side where a memory cell array (1) increases its bit line address.
補助セルアレイ（２）は、メモリセルアレイ（１）のビット線アドレスが増加する側のワード線に続けて設けられる。
Sinônimos e analogias para "memory cell array" em inglês
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