Nu am putut găsi această intrare. Se afișează rezultate aproximative. Verificați ortografia sau propuneți adăugarea acestui termen în dicționar.
динамической памяти с произвольным доступом
One of the patches for the ION memory allocator is intended to mitigate a physical attack against DRAM (dynamic random-access memory) chips that could be exploited by applications to gain root access on a device.
Один из патчей для ION-распределителя памяти предназначен для смягчения физической атаки на чипы DRAM (динамической памяти с произвольным доступом), которая могла бы быть использована приложениями для получения рут-доступа к устройству.
Samsung has begun mass producing 20-nanometre 8-gigabit (Gb) graphics double data rate 5 (GDDR5) dynamic random-access memory (DRAM) to meet the demand of high-quality graphics DRAM due to increasing usage of 3D games and ultra high-definition (UHD) content.
Samsung начала массовое производство 20-наномикронной 8-гигабитной графической, с удвоенной скоростью передачи данных (GDDR5) динамической памяти с произвольным доступом (DRAM), чтобы удовлетворить спрос на высококачественную графическую память DRAM в связи с увеличением использования 3D-игр и контента сверхвысокого разрешения (UHD).
This is in contrast to volatile Dynamic Random-Access Memory (DRAM) and Static Random-Access Memory (SRAM), which both maintain data only for as long as power is applied.
Это отличается от динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) и статической памяти с произвольным доступом (SRAM), которые сохраняют данные только до тех пор, пока применяются мощности.
Among the mechanisms that he speculated for implementing a computer memory system was "a large array of small condensers which could be rapidly charged or discharged", thus prefiguring the essential technology of modern dynamic random-access memory chips.
Среди механизмов, о которых он размышляет, для создания системы памяти компьютера был «большой массив маленьких электрических конденсаторов, которые могли бы быстро заряжаться или разряжаться», тем самым Винер предвосхитил сущность технологии современных схем DRAM.
However, its sibling, 1103, a one-kilobit dynamic random-access memory (DRAM) chip was successful, and the first chip to store a significant amount of information.
Однако его «брат» - чип 1103 с динамической памятью произвольного доступа (DRAM) в один килобит, был успешным и первым чипом, в котором хранилось значительное количество информации.
An analysis of the global microelectronics market demonstrates that, currently, the market particularly values dynamic random-access memory semiconductors (DRAMS) that hold tremendous significance for such cutting-edge technologies as artificial intelligence, the Internet of Things and robotics.
Анализ мирового рынка микроэлектроники показывает, что на современном этапе особую ценность имеют полупроводники динамической оперативной памяти (DRAMS), которые имеют огромное значение для таких передовых технологий, как искусственный интеллект, интернет вещей и робототехника.
At its peak in the late 1970s, Mostek held an 85% market share of the dynamic random-access memory (DRAM) memory chip market worldwide, until being eclipsed by Japanese DRAM manufacturers who offered equivalent chips at lower prices by dumping memory on the market.
В свои лучшие годы, в конце 1970-х, Mostek удерживал до 85 % мирового рынка микросхем памяти DRAM, пока его не затмили японские производители микросхем, которые обрушили рынок, предложив эквивалентные микросхемы по более низким ценам.
In 1969, Intel introduced its first chip, which could store 64 numbers (and was called a 64-bit DRAM, for "dynamic random-access memory").
В 1969 году Intel представила свой первый чип памяти, который мог хранить 64 числа (он назывался 64битная динамическая память с произвольным доступом, сокращенно DRAM).
0 bits flipped 1 bit flipped 2 bits flipped 3 bits flipped Data degradation in dynamic random-access memory (DRAM) can occur when the electric charge of a bit in DRAM disperses, possibly altering program code or stored data.
0 битов изменено 1 бит изменён 2 бита изменены 3 бита изменены Деградация данных в DRAM может случиться, когда электрический заряд бита в DRAM исчезает, возможно, изменяя код программы или данные.
Meltdown (security vulnerability) - a related bug affecting almost all speculative-execution processors Pentium FDIV bug Pentium F00F bug Row hammer - an unintended side effect in dynamic random-access memory causing memory cells to interact electrically
Meltdown - похожая атака, нарушающая изоляцию между программами и ядром операционной системы Баг процессоров Pentium "FDIV" Баг процессоров Pentium "F00F" Строковый молот (Row Hammer) - непреднамеренный побочный эффект в динамической памяти (DRAM), вызывающий незапланированное электрическое межвзаимодействие ячеек памяти.
Computer memory: Prices for dynamic random-access memory could drop 15 to 25 percent in 2019, per DRAMeXchange.
Память для компьютера: цены на динамическую оперативную память в 2019 году могут упасть на 15-25%, согласно данным DRAMeXchange.
The 1-Mbit DRAM-a dynamic random-access memory for 1,048,576 bits.
1-Mbit DRAM - динамическая память с произвольной выборкой - для 1,048,576 бит.
Micron Technology, Inc. is an American global corporation based in Boise, Idaho, which produces many forms of semiconductor devices, including dynamic random-access memory, flash memory, and solid-state drives.
MICRON - Micron Technology, Inc., является американской мультинациональной корпорацией, основанная в Бойсе, штат Айдахо, которая производит много видов полупроводниковых приборов, в том числе память с динамичным произвольным доступом, флэш-памяти, и жестких накопителей.
Conținut posibil inadecvat
Exemplele au rolul de a te ajuta să traduci cuvinte sau expresii corect si adaptat la context. Nu sunt selectate sau validate manual, așadar pot conține termeni inadecvați. Te rugăm să raportezi exemplele pe care le consideri inadecvate. Traducerile vulgare sau colocviale sunt în general marcate cu roșu sau cu portocaliu.