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non-volatile memory array
Translation of "non-volatile memory array" in German
Nichtflüchtiges Speicherarray
nichtflüchtigen Speichermatrix
nichtflüchtige Speichermatrix
Nicht-flüchtige Speichermatrix
A non-volatile memory array according to claim 11, wherein said conductive channel extends across the memory array to a contact point adapted for receiving a ground voltage.
Nichtflüchtiges Speicherarray nach Anspruch 11, bei dem der leitende Kanal über das Speicherarray zu einem zum Empfangen einer Massespannung vorgesehenen Kontaktpunkt verläuft.
A non-volatile memory array according to claim 11, wherein said dielectric (76) comprises polysilicon oxide, nitride and nitride oxide placed in a trilayer structure.
Nichtflüchtiges Speicherarray nach Anspruch 11, bei dem das Dielektrikum (76) in einer dreischichtigen Struktur aufgebrachtes Polysiliciumoxid, Nitrid und Nitridoxid aufweist.
The method of claim 1 further comprising providing a non-volatile memory array.
Verfahren nach Anspruch 1, das ferner das Bereitstellen einer nichtflüchtigen Speichermatrix umfasst.
The method of any preceding claim further comprising providing a non-volatile memory array (AR) including one-transistor memory cells (10) without split control gates.
Verfahren nach einem vorhergehenden Anspruch, das ferner das Vorsehen einer nichtflüchtigen Speichermatrix (AR), die Eintransistor-Speicherzellen (10) ohne geteilte Steuergates enthält, umfasst.
A non-volatile memory array according to claim 11 or claim 12, wherein said wet oxide is formed within a steam ambient and said dry oxide is formed in an O 2 ambient.
Nichtflüchtiges Speicherarray nach Anspruch 11 oder 12, bei dem das Nassoxid in einer Dampfumgebung und das Trockenoxid in einer O 2 -Umgebung gebildet wird.
A non-volatile memory array comprising a plurality of memories as claimed in any one of claims 1 to 11, wherein two adjacent memories have a common drain region (11) and are positioned as mirror images about the drain region (11).
Nichtflüchtiges Speicherarray mit einer Anzahl von Speichern nach einem der Ansprüche 1 bis 11, bei dem zwei benachbarte Speicher einen gemeinsamen Drainbereich (11) aufweisen und sie spiegelbildlich zu diesem positioniert sind.
A SCHEME FOR PAGE ERASE AND ERASE VERIFY IN A NON-VOLATILE MEMORY ARRAY
EIN VERFAHREN ZUM LÖSCHEN VON SEITEN UND LÖSCHPRÜFUNG IN EINEM NICHTFLÜCHTIGEN SPEICHERMATRIX
The circuit of any of claims 6 to 8, wherein said memory array is a non-volatile memory array.
Schaltung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, bei dem die Speichermatrix eine nichtflüchtige Speichermatrix ist.
The integrated circuit of claim 8 wherein said memory array (50) comprises a non-volatile memory array.
Integrierter Schaltkreis nach Anspruch 8, bei dem das Speicherarray (50) ein nicht flüchtiges Speicherarray aufweist.
A non-volatile memory array as claimed in claim 8 wherein each cell has a third terminal (8) for selective connection to the voltage supply whereby each cell may be erased.
Nicht-flüchtige Speichermatrix nach Anspruch 8, wobei jede Zelle einen dritten Anschluß (8) zur wahlweisen Verbindung mit der Spannungsversorgung aufweist, wodurch jede Zelle gelöscht werden kann.
A non-volatile memory array as claimed in claim 3 or 4 wherein the control circuitry (302) has memory circuitry programmable to set the value of said voltage.
Nicht-flüchtige Speichermatrix nach Anspruch 3 oder 4, wobei die Steuerungsschaltung (302) eine Speicherschaltung aufweist, welche programmierbar ist, um den Wert der Spannung einzustellen.
Ferroelectric resistor non-volatile memory array
Nichtflüchtige Speichervorrichtung mit ferroelektrischen Widerständen
The method of claim 8 further comprising the step of disposing the non-volatile memory array on at least one semiconductor die (12) that is embedded in a portable data carrier (10).
Verfahren nach Anspruch 8, weiter umfassend den Schritt des Vorsehens des nichtflüchtigen Speicher-Arrays auf wenigstens einem Halbleiterchip (12), welcher in einem tragbaren Datenträger (10) eingebettet ist.
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