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said second cladding layer
Translation of "said second cladding layer" in German
der zweiten Mantelschicht
die zweite Mantelschicht
der zweiten Überzugsschicht
die zweite Plattierschicht
A filter according to claim 23, wherein said second cladding layer (206) is formed on only said light gain portion (25), and is removed from said reflection portion (24).
Filter nach Anspruch 23, in dem die zweite Umhüllungsschicht (206) nur an dem Lichtverstärkungsabschnitt (25) ausgebildet ist und von dem Reflexionsabschnitt (24) abgetragen ist.
The method according to claim 10, characterized in that an elongated projecting layer (54, 84) serving as said waveguide channel region is formed in said second cladding layer.
Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß in der zweiten Überzugsschicht eine als Wellenleiterkanalbereich dienende langgestreckte Vorsprungs- oder Erhebungsschicht (54, 84) geformt wird.
A laser device according to claim 1, further characterized in that said second cladding layer (410) is less in thickness than said first cladding layer.
Laservorrichtung gemäß Anspruch 1, ferner dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Mantelschicht (410) weniger dick als die erste Mantelschicht ist.
The semiconductor laser according to claim 5, characterized in that said composition ratio of aluminum in said second cladding layer (26, 62) is set to range between 0.4 and 0.5.
Halbleiterlaser gemäß Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Mischungsverhältnis von Aluminium in der zweiten Bedeckungsschicht (26, 62) zwischen 0,4 und 0,5 liegt.
A light emitting device according to claim 6, further characterized in that said buried layer (310) has a conductivity type opposite to that of said second cladding layer (308) and functions as a current-blocking layer.
Eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 6, ferner dadurch gekennzeichnet, daß die vergrabene Schicht (310) eine Leitfähigkeit entgegengesetzt derjenigen der zweiten Mantelschicht (308) aufweist und als eine stromblockierende Schicht fungiert.
An amplifier according to claim 9, wherein said first cladding layer (3, 23) comprises an n-type semiconductor, said second cladding layer (5, 25) comprises a p-type semiconductor, and said waveguide layer (4,32) comprises a non-doped semiconductor.
Verstärker nach Anspruch 9, bei der die erste Mantelschicht (3, 23) einen Halbleiter vom n-Typ umfaßt, die zweite Mantelschicht (5, 25) einen Halbleiter vom p-Typ umfaßt, und die Wellenleiterschicht (4, 32) einen undotierten Halbleiter umfaßt.
The semiconductor device as claimed in claim 1, wherein the height of a miniband formed by the superlattice of said first cladding layer (20b) is greater than that of said second cladding layer (20a).
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Höhe eines durch das Supergitter der ersten Mantelschicht (20b) gebildeten Minibands größer ist als die der zweiten Mantelschicht (20a).
A multi-beam semiconductor laser according to claim 1 further comprising: a cap layer (307) provided between said second cladding layer (305) and said contact layer (309).
Mehrstrahlhalbleiterlaser nach Anspruch. 1, des weiteren umfassend: eine Abdeckschicht (307), die zwischen der zweiten Plattierungsschicht (305) und der Kontaktschicht (309) angeordnet ist.
An optical semiconductor device, according to claim 7, wherein: a cap layer (68) of said second conductivity type being provided on said second cladding layer (104).
Optische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7, wobei auf der zweiten Mantelschicht (104) eine Deckschicht (68) des zweiten Leitfähigkeitstyps aufgebracht ist.
An optical coupling device according to claim 25, characterized in that said diffraction grating (96) consists of corrugation formed on said second cladding layer (95).
Optische Kopplungsvorrichtung nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß das Beugungsgitter (96) aus Riffelungen besteht, die auf der zweiten Mantelschicht (95) gebildet sind.
The manufacturing method according to claim 1, wherein said mask (21) formed on said stripe portion is a mask used as an etching mask when said stripe portion is made in said second cladding layer (7).
Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, wobei die Maske (21), die auf dem Streifenabschnitt ausgebildet ist, eine Maske ist, die als Ätzmaske verwendet wird, wenn der Streifenabschnitt in der zweiten Hüllschicht (7) hergestellt wird.
The method according to claim 4, characterized in that said second cladding layer is subjected to selective etching prior to formation of said first semiconductor layer, thus forming a stripe projection layer (54).
Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Überzugsschicht vor der Ausbildung der ersten Halbleiterschicht einem selektiven Ätzen zur Ausbildung einer streifenförmigen Vorsprungs- oder Erhebungsschicht (54) unterworfen wird.
A semiconductor laser device according to claim 1, wherein said multi-layered structure further comprises a contact layer (6) of the second conductivity type formed on said second cladding layer (5).
Halbleiterlaser nach Anspruch 1, bei dem die Mehrschichtstruktur ferner eine Kontaktschicht (6) vom zweiten Leitungstyp aufweist, die auf der zweiten Mantelschicht (5) ausgebildet ist.
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