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image sensor array as
Das Bildsensorarray gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Sensorarray ferner eine über dem Array gebildete transparente leitfähige Schicht umfasst, die Anoden der Photodiodensensoren und Anoden der Schutzdioden elektrisch mit einer feststehenden Anodenspannung verbindet.
The image sensor array as recited in any preceding claim, wherein the sensor array further comprises a transparent conductive layer formed over the array which electrically interconnects anodes of the photo diode sensors and anodes of the guard diodes to a fixed anode voltage.
Das Bildsensorarray gemäß Anspruch 3, bei dem das Schutzspannungspotential über jede Schutzdiode hinweg durch ein Anpassen der vorbestimmten Kathodenspannung angepasst wird.
The image sensor array as recited in claim 3, wherein the guard voltage potential across each guard diodeis adjusted by adjusting the predetermined cathode voltage.
Verbesserte Auflösung für ein elektrisches Bildsensorarray
Das Bildsensorarray (300; 500; 900) gemäß Anspruch 1, bei dem manche der lichtempfindlichen Elemente (302; 502; 902A, 902B, 902C, 902D) durch bogenlinige Segmente definiert sind, die der Krümmung der krummlinigen Verzerrung entsprechen.
The image sensor array (300; 500; 900) of claim 1 wherein some of the photosensitive elements (302; 502; 902A, 902B, 902C, 902D) are defined by curved line segments that correspond to the curvature of the curvilinear distortion.
Das Bildsensorarray (300; 500; 900) gemäß Anspruch 1, 2 oder 3, das ferner längliche Strukturen (320A, 320B; 520A, 520B; 920) aufweist, die Ränder aufweisen, die der Krümmung der krummlinigen Verzerrung entsprechen.
The image sensor array (300; 500; 900) of claim 1, 2 or 3 further comprising elongated structures (320A, 320B; 520A, 520B; 920) having edges that correspond to the curvature of the curvilinear distortion.
Das Bildsensorarray gemäß Anspruch 2, bei dem die vorbestimmte Spannung so ausgewählt ist, dass ein Schutzspannungspotential über jede Schutzdiode hinweg gleich einem Durchschnitt von Erfassungsspannungen zwischen Anoden und Kathoden der Photodiodensensoren ist.
The image sensor array as recited in claim 2, wherein the predetermined voltage is selected so that a guard voltage potential across each guard diode is equal to an average of sense voltages between anodes and cathodes of the photo diode sensors.
Das Bildsensorarray gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Photodiodensensoren PIN-Dioden umfassen.
The image sensor array as recited in any preceding claim, wherein the photo diode sensors comprise PIN diodes.
Das Bildsensorarray gemäß Anspruch 1, bei dem das Substrat CMOS umfasst.
The image sensor array as recited in claim 1, wherein the substrate comprises CMOS.
Das Bildsensorarray gemäß Anspruch 1, bei dem die amorphe Siliziumelektrodenschicht (250) eine N-Schicht umfasst.
The image sensor array as recited in claim 1, wherein the amorphous silicon electrode layer comprises an N-layer.
Das Bildsensorarray gemäß Anspruch 3, bei dem die amorphe Silizium-P-Schicht (270) P-Schicht-Ionenimplantationsregionen (420) umfasst, die physikalische Isolation zwischen den Außenschichten der Bildsensoren liefern.
The image sensor array as recited in claim 3, wherein the amorphous silicon P-layer comprises P-layer ion implantation regions that provide physical isolation between the outer layers of the image sensors.
Das Bildsensorarray gemäß Anspruch 1, das ferner eine amorphe Silizium-P-Schicht (270) benachbart zu der amorphen Silizium-I-Schicht (260) umfasst, wobei die amorphe Silizium-P-Schicht (270) eine Außenschicht von jedem der Bildsensoren bildet.
The image sensor array as recited in claim 1, further comprising an amorphous silicon P-layer adjacent to the amorphous silicon I-layer, the amorphous silicon P-layer forming an outer layer of each of the image sensors.
Das Bildsensorarray gemäß Anspruch 1, bei dem die Implantationsregionen (240) Bor-Implantate, Stickstoff-Implantate, Argon-Implantate oder Oxid-Implantate umfassen.
The image sensor array as recited in claim 1, wherein implantation regions comprise Boron implants, Nitrogen implants, Argon implants, or Oxide implants.
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Synonyms and analogies of "Bildsensorarray" in German
