Eine nichtflüchtige Halbleiter-Speicherzelle, insbesondere für integrierte programmierbare Festwertspeicher PROMs), hat eine Leiterbahn (Fuse) (1) aus polykristallinem Silizium, deren elektrische Leitfähigkeit durch Stromdurchgang eines Programmierstromes wesentlich herabgesetzt werden kann.
A nonvolatile semiconductor memory cell, in particular for integrated programmable read-only memories (PROMs) has a conductor track (fuse) (1) of polycrystalline silicon whose electrical conductivity can be substantially reduced by passing a programming current.
Other results
Gerät gemäß Anspruch 7, in dem das programmierbare Eingabemittel die Verstärkung des regelbaren Dämpfungsglieds (202) in logarithmischen Schritten mit linearen Inkrementen in den Programmierströmen inkrementiert.
The apparatus of Claim 7 wherein said programmable input means increments the gain of said variolosser means (202) in logarithmic steps with linear increments in said programming currents.
Diese Mittel schalten daraufhin während einer zweiten vorgegebenen Zeit eine zweite vorgegebene Anzahl, die größer als die erste Anzahl ist, parallel und beaufschlagen sie mit dem Programmierstrom.
These means then switch a second predetermined number in parallel for a second predetermined period, the second number being greater than the first number, and apply the programming current to them.
Steuerverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Programmierung Mittel zu Begrenzung des Programmierstroms vorgesehen sind.
Control method according to Claim 1, characterised in that, in programming, means of limiting the programming current are provided.
Verfahren nach Anspruch 13, wobei der Strombetrag etwa die Hälfte des Programmierstroms beträgt.
The method of Claim 13 wherein the amount of current is equal to about one-half of the programming current.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Kompensationsstrom schwächer als der Programmierstrom eingestellt wird.
Method according to Claim 1, characterized in that the compensating current is set to be at a lower level than the programming current.
Vorspannungsstromquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Emitterschaltungs-Verstärker einen Eingangsanschluss besitzt, der angeschlossen ist, um den Programmierstrom (I prog) aufzubauen.
The bias current source of claim 1, characterized in that said common emitter amplifier includes an input terminal connected to establish said programming current (I prog).
Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Strombetrag, der kleiner als der Programmierstrom ist, etwa die Hälfte des Programmierstroms beträgt.
The device as in claim 1 wherein the amount of current less than the programming current is equal to about one half of the programming current.
Vorrichtung nach Anspruch 5, wobei ein Teil des Programmierstroms durch jede der zwei benachbarten Wortleitungen geleitet wird, der etwa die Hälfte des Programmierstroms beträgt.
The device as in Claim 5 wherein a portion of programming current is sent through each of the two adjacent word lines which is equal to about one half of the programming current.
Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, das besteht aus dem Nutzen einer vorher bestimmten Korrespondenztabelle zwischen dem Stabilisierungsstrom und dem gewünschten finalen Widerstand zum Anlegen des adaptierten Programmierstroms an den ausgewählten zu programmierenden Widerstand.
The method of claim 16 or 17, consisting of using a predetermined table of correspondence between the stabilization current and the desired final resistance to apply, to the selected programming resistor, the adapted programming current.
Verfahren nach Anspruch 13, wobei das Verfahren weiterhin das Zuführen des Programmierstroms zu einer entsprechenden Wortleitung der ausgewählten Speicherzelle umfaßt, die ausgewählt wurde, um das Einschreiben von Daten in die ausgewählte Speicherzelle zu ermöglichen.
The method of Claim 13 wherein the method further comprises providing programming current to a corresponding word line of the memory cell selected to allow data to be written to the selected memory cell.
Der freigelegte Bereich (36) der ersten leitfähigen Schicht (22) ist durch Anlegen eines vorbestimmten Programmierstroms an die Schaltungsstruktur durchtrennbar.
The exposed area (36) of the first conductive layer (22) can be cut by applying a predetermined programming current to the circuit structure.
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Synonyms and analogies of "Programmierstromes" in German
