Vertaling van "CVD-Methode" in Engels
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Herstellungsverfahren für Halbleiteranordnung unter Verwendung der selektiven CVD-Methode.
Method of manufacturing semiconductor device utilizing selective CVD method.
Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß bei dem Schritt, in dem die Halbleiterschicht gebildet wird, eine Plasma CVD-Methode verwendet wird, bei welcher eine Gasmischung von Silan, Ammoniak und Wasserstoff verwendet wird.
The method according to claim 10, characterized in that said step of forming said semiconductor layer uses plasma CVD method in which use is made of a mixture gas of silane, ammonia, and hydrogen,.
Der interessanteste Punkt ist, dass alle Firmen eine katalytische CVD-Methode für die Massenproduktion von MWNTs auswählten.
The most interesting point is that all companies selected a catalytic CVD method for the large-scale production of MWNTs.
ZIRCONIUM KLOMPLEX FÜR DIE CVD-METHODE UND HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINEN DÜNNEN FILM
ZIRCONIUM COMPLEX USED FOR THE CVD METHOD AND PREPARATION METHOD OF A THIN FILM USING THEREOF
Durch die geringere Verarbeitungstemperatur im Vergleich zur CVD-Methode entstehen weniger Schichten, die aufgrund der Beschichtung nachgeben.
Because of its lower processing temperature compared with the CVD method, there are fewer layers which deteriorate due to the coating.
Die CVD-Methode kann bei ungleichmäßigem Auftrag eine Regenbogenpatina erzeugen.
When applied unevenly, CVD coating can produce a rainbow patina.
Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet , daß der Siliciumnitridfilm mit Hilfe einer Plasma CVD-Methode hergestellt wird, wobei SiH₄, NH₃ und N₂ verwendet wird.
The method according to claim 19, characterized in that said silicon nitride film is formed by means of plasma CVD method by applying SiH₄, NH₃, and N₂.
Diese Arbeit beschreibt zum ersten Mal das gerichtete Wachstum von SnO2 Nanodrähten auf TiO2(001) Substraten mit der molekülbasierten CVD-Methode.
The technical highlights of this work include the successful demonstration of oriented growth of SnO2 nanowires arrays on TiO2(001) substrates by MB-CVD method for the first time.
Es unterscheidet sich von der klassischen CVD-Methode durch niedrigere Betriebstemperaturen PCVD 400-600 º C und MTCVD 700-850 º C. Es ändert jedoch nichts an seinem Prinzip (Bildung einer Beschichtung aus der Gasphase).
From classic CVD methods differs lower operating temperatures from 400 to 600 º C by CVD and MTCVD 700-850 º C. Wherein not change the principle (of coating from the gas phase). Layers properties
Die Pulsed Spray Evaporation CVD-Methode (PSE-CVD) wurde in dieser Arbeit aufgebaut und optimiert und mit reinen sowie mit Zink oder Chrom dotierten Co3O4-Filmen getestet.
Department Abstract/ Notes Spinel cobalt oxide doped with nickel and zinc are deposited using a CVD reactor equipped with a pulsed spray evaporation system.
Die CVD-Methode ist zwar skalierbar und kostengünstig.
CVD is a highly scalable and cost-efficient fabrication technology.
Die Forscher stellen jetzt erstmalig eine CVD-Methode vor, die zu abbaubaren Polymeren führt.
