Das D-RAM, dargestellt, ist für Hochleistungsanwendungen zu langsam und kann Daten nicht ohne eine Dauerleistungsquelle speichern.
DRAM, pictured, is too slow for high performance applications, and cannot store data without a constant power source.
Die Firmen auch planen gemeinsam, Datenspeichergeräte und zukünftiges D-RAM zu entwickeln, um die Besitzgesamtkosten der IT-Abteilung jeder möglicher Firma zu erhöhen.
The companies also jointly plan to develop data storage devices and next-generation DRAM to enhance the total ownership costs of the IT department of any company.
Unterstützungen bis 32 MBYTEs des Gedächtnisses unter Verwendung 4M x 1 D-RAM, 128 MBYTEs unter Verwendung 16M x 1
Supports up to 32 Mbytes of memory using 4M x 1 DRAMs, 128 Mbytes using 16M x 1
Der Gebrauch von Bandeabstandstechnik für Ladungsblockierflash-speicher und -alternativen zum herkömmlichen D-RAM wie neuem einzelnem Transistor D-RAM.
The use of band gap engineering for charge trap flash memories and alternatives to conventional DRAMs such as novel single transistor DRAMS.
Flash-Speicher wird verwendet, wo Festspeicher gefordert wird - D-RAM benötigt Leistung, die Anordnung für 1s und 0s auf dem Chip beizubehalten, aber ein Greller Antrieb ist nichtflüssig und also wird Daten unbestimmt mit oder ohne Leistung speichern.
Flash memory is used where permanent storage is required - DRAM requires power to maintain the arrangement of 1s and 0s on the chip, but a Flash drive is non-volatile, and so will store data indefinitely with or without power.
Die 4 Meg.e Ohm x 16 D-RAM müssen regelmäßig erneuert werden, um gespeicherte Daten zu behalten.
The 4 Meg x 16 DRAM must be refreshed periodically in order to retain stored data.
Verdoppelt die Menge des verfügbaren D-RAM (zu 1 GB)
Doubles the amount of available DRAM (to 1 GB)
Seine tatsächliche Drehzahl, Leistungsaufnahme der geringen Energie und Haltbarkeit, machen MRAM einen führenden Kandidaten wie ein „Universalspeicher", der verspricht, Blinken, SRAM und D-RAM auszutauschen.
Its intrinsic speed, low power consumption, and durability, make MRAM a leading candidate as a "universal memory" promising to replace flash, SRAM and DRAM.
Um die steigende Nachfrage nach beweglichen Speicherlösungen mit hoher Schreibdichte für das Aufbereiten von enormen Daten zu erfüllen, vergrößert die optimale Datentransferrate des beweglichen D-RAM für hoch entwickeltes mobiles Gerät von 1GB (8Gb) zu einem Maximum von 2GB (16Gb) bis Anfang 2012.
In order to fulfill the growing demand for high-density mobile memory solutions for the processing of huge data, the optimal data transfer rate of mobile DRAM for advanced mobile equipment will augment from 1GB (8Gb) to a maximum of 2GB (16Gb) by early 2012.
Die Blöcke des D-RAM DDR3 von Samsung verbrauchen zwei drittel weniger Leistung als jene Blöcke, die unter Verwendung der Standard-Technologie 60nm-class hergestellt werden.
The DDR3 DRAM modules from Samsung consume two-thirds less power than those modules manufactured using standard 60nm-class technology.
Diese Blöcke des D-RAM DDR3 werden in 2 und 4 GB-Kapazitäten angeboten.
These DDR3 DRAM modules are offered in both 2 and 4 GB capacities.
Das 4 Meg. Ohm x 16 D-RAM ist ein Hochgeschwindigkeits-CMOS, das Gerät des dynamischen Direktzugriffsspeichers, das 67.108.864 Bits enthält und entwirft, um von 3V zu 3.6V zu funktionieren.
The 4 Meg x 16 DRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory device containing 67,108,864 bits and designed to operate from 3V to 3.6V.
Die Firma hat auch geplant, seine Massenfertigungsstraße auszubauen, um das D-RAM DDR3 mit Dichten von 4GB, von 8GB, von 16GB und von 32GB bis 2012 herzustellen.
The company has also planned to upgrade its mass production line to manufacture the DDR3 DRAM with densities of 4GB, 8GB, 16GB and 32GB by 2012.