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diffusion depth
depth of diffusion
Halbleiteranordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Gebiet der hohen Störstellenkonzentration (633) eine Diffusionstiefe von wenigstens 3 µm besitzt.
Semiconductor device according to claim 10, characterized in that said high impurity concentration region (633) has a diffusion depth of at least 3 µm.
Vertikale Halbleiteranordnung mit isoliertem Gate nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die genannte vertikale Diffusionstiefe der Diffusionsschicht (5) annähern 0,5 µm beträgt und daß die Übergangstiefe des genannten Source-Bereiches (7) annähernd 0,7 µm ist.
A vertical type insulated-gate semiconductor device according to claim 1, characterized in that said vertical diffusion depth of said diffusion layer (5) is approximately 0,5 µm and said junction depth of said source region (7) is approximately 0,7 µm.
Verfahren nach einem der Patentansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Schritte zum Injizieren und Diffundieren einen Schritt zum Diffundieren einer Verunreinigung vom zweiten Leitungstyp (p) bis zu einer Tiefe aufweisen, die im wesentlichen einer Diffusionstiefe der Basisgebiete (3) entspricht.
Method according to one of claims 8 through 10, characterized in that said injecting and diffusing step includes a step of diffusing an impurity of the second conductivity type (p) to a depth substantially equal to a diffusion depth of said base regions (3).
Die Dicke der Verbindungsschicht und die Diffusionstiefe hängen von der Art des Werkstoffesund dem angewendeten CLIN-Verfahren ab. Sie betragen ca. 0 bis 30 µm im Fall der Verbindungsschicht und können einige Zehntel Millimeter im Fall der Diffusionsschicht erreichen.
The thicknesses of the composite layers and diffusion depth depend on the nature of the substrate and CLIN process performed, however, these can be from 0 to 30.mu.m for a composite layer, and reach a few tenths of millimeters for diffusion.
Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Diffusionstiefe weniger als 3 µm beträgt, ermittelt durch chemisches Ätzen, oder weniger als 5 µm, ermittelt durch Elektronendispersionsröntgenanalyse.
A process according to claim 6, wherein said diffusion depth is less than 3 micrometers as determined by chemical etching or less than 5 micrometers as determined by electron dispersive X-ray analysis.
Die Diffusionstiefe als wichtiger Aspekt für die Beurteilung der Umsatz- und Reinigungsleistung von MBBR-Trägermaterialien (biofilm carrier)
The diffusion depth as an important aspect to be considered in the evaluation of removal rates and treatment performance of MBBR carriers (biofilm carriers)
Kaltband mit elektrolytisch aufgebrachter Nickelbeschichtung hoher Diffusionstiefe und Verfahren zur Herstellung des Kaltbandes.
Cold-rolled strip electroplated with a nickel sheet with a great diffusion depth, and process for its manufacture.
Der sogenannte Versorgungsweg mit den zuvor genannten Substraten und Sauerstoff ist die Diffusionstiefe (Eindringtiefe).
The so called supply channel of the aforementioned substrates and oxygen is the diffusion depth.
Die Dicke der Verbindungsschicht und die Diffusionstiefe hängen von der Art des Substrats und dem angewendeten CLIN-Verfahren ab.
Thicknesses of combination layers and diffusion depths depend on the nature of the substrate, as well as on the CLIN process carried out.
Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, bei der die zweite Kontaktdiffusionsregion (22) eine Diffusionstiefe von 0,1 bis 0,3 µm und die erste Kontaktdiffusionsregion (24) eine Diffusionstiefe von 0,5 bis 0,8 µm hat.
The device of claim 1 or 2, wherein said second contact diffused region (22) has a depth of diffusion of 0.1 to 0.3 µm and said first contact diffused region (24) has a depth of diffusion of 0.5 to 0.8 µm.
Die Diffusionstiefe des Stickstoffs, die erreicht werden kann, ist vom Grundwerkstoff und von der Behandlungszeit abhängig.
The depth of diffusion of nitrogen that can be achieved depends on the base material and the duration of the cycle.
Bei diesem Verfahren ist dabei die Dotierstoffkonzentration im oberflächennahen Bereich unabhängig von der Diffusionstiefe des Dotierstoffs einstellbar.
In said method, the dopant concentration in the area near the surface can be set independently of the diffusion depth of the dopant.
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