Vertaling van "EEPROM- oder" in Engels
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Fähigkeit, eine nichtflüchtige Änderung in einem elektrischen Parameter wie etwa Widerstand oder Kapazität herzustellen und zu steuern, daß der MDM der vorliegenden Erfindung in vielen Anwendungen verwendet wird, die ansonsten traditionelle EEPROM- oder FLASH-Technologien verwenden würden.
allows the ability to produce a non-volatile change in an electrical parameter such as resistance or capacitance, and to control that the MDM of the present invention is used in many applications which would otherwise utilize traditional EEPROM or FLASH technologies.
Eine Methode nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei dem zweiten Speicher (4) um einen EEPROM- oder NVRAM-Speicher handelt, der seine aktuellen Daten beibehält, wenn der Motor ausgeschaltet wird.
A method as claimed in claim 4 in which the second memory (4) is an EEPROM or NVRAM which retains its current data when the engine is switched off.
Elektronische Vorrichtung (10A) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der permanente elektronische Speicher (30) ein Direktzugriffsspeicher ist, der gemäß EEPROM- oder FLASH-EPROM- oder gepufferter RAM-Technologie aufgebaut ist.
An electronic device (10A) as claimed in claim 1, characterised in that said permanent electronic memory (30) is a random access memory, constructed in accordance with EEPROM or FLASH EPROM or buffered RAM technology.
Speicheranordnung nach den Ansprüchen 1 bis 6, bei der das Feld ein Feld aus EEPROM- oder Flash-EEPROM-Zellen umfaßt.
A memory device as in claim 1-6, wherein said array includes an array of EEPROM or Flash EEPROM cells.
Basierend auf der EEPROM- oder FRAM-Technologie verfügen sie über eine Speichergrösse von 128 Byte bis 2048 Byte.
Based on EEPROM or FRAM technology, memory size ranges from 128 Bytes to 2048 Bytes.
EEPROM- oder Flash-Technologien verlieren hier die gespeicherten Daten, da sie auf Ladungen (sog. „Floating Gates") basieren.
EEPROM or Flash technologies lose their stored data as they are based on charge (so called "Floating Gates").
Dabei kommen insbesondere Umladevorgänge von Speicherzellen, beispielsweise EEPROM- oder FLASH-Speicherzellen, in Betracht, die mit Hilfe einer Ladungspumpe durchgeführt werden.
For this purpose, the processes for exchanging charge of memory cells, for example the EEPROM or FLASH memory cells, carried out by means of a charging pump are mentioned.