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Ferroelectric Random Access Memory
Vertaling van "Ferroelectric Random Access Memory" in Duits
Ferroelectric Random Access Memory
Ferroelektrische Freizugriffsspeichervorrichtung
The intermediate device according to claim 3, wherein: the holding unit (29) is a Ferroelectric Random Access Memory; and the erasing of the piece of initial data is performed by destructive read of the piece of initial data.
Zwischenvorrichtung nach Anspruch 3, wobei die Halteeinheit (29) ein FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) ist; und das Löschen des Anfangs-Datenelementes durch zerstörendes Lesens des Anfangs-Datenelementes durchgeführt wird.
The high performance "Ferroelectric Random Access Memory" FRAM chips have an operating life of at least 100000 billion write operations and a data retention of 10 years.
Die Hochleistungs "Ferroelectric Random Access Memory"-Chips haben eine Lebensdauer von mindestens 100000 Milliarden Schreiboperationen und eine Vorratsdatenspeicherung von 10 Jahren.
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a type of memory featuring both non-volatility and random access.
FRAM (Ferroelektrischer RAM) ist ein Speichertyp, der sich durch Nichtvolatilität und direkten Zugriff auszeichnet.
A Ferroelectric Random Access Memory having the semiconductor memory test mode configuration of Claim 1.
Ein Ferroelektrischen Random Access Speicher, der die Testmoduskonfiguration für Halbleiterspeicher des Anspruches 1 besitzt.
FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a nonvolatile computer memory chip.
FeRAM Der ferroelektrische Arbeitsspeicher (FeRAM, engl. „Ferroelectric Random Access Memory") ist ein nichtflüchtiger Computer-Speicherchip.
Ferroelectric random access memory and methods of its operation.
Ferroelektrischer Speicher und sein Betriebsverfahren.
A contactless card according to Claim 6, wherein the non-volatile memory (208) is one of an electrically erasable programmable read only memory, a ferroelectric random access memory, a magnetoresistive random access memory, and an ovonic unified memory.
Kontaktlose Karte nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der nichtflüchtige Speicher (208) ein elektrisch löschbarer programmierbarer Festspeicher, ein ferroelektrischer Schreib-Lese-Speicher, ein magnetoresistiver Schreib-Lese-Speicher oder ein Ovonic-Einheitsspeicher ist.
An information processing system as claimed in claim 1, wherein said nonvolatile storage means (4002) is made of a ferroelectric random access memory (FRAM).
Informationsverarbeitungssystem gemäß Anspruch 1, wobei das nicht-flüchtige Speichermittel (4002) aus einem ferroelektrischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff (FRAM) gebildet ist.
A ferroelectric random access memory or FRAM is nonvolatile and performs reads and writes like a RAM.
Ein ferroelectric Direktzugriffsspeicher oder ein FRAM ist permanent und führt liest und schreibt wie RAM durch.
In this case RFID labels (so called "tags") based on ferroelectric random access memory (FRAM) are the ideal solution as they do not lose any data when exposed to gamma particles in contrast to EEPROM tags.
Ideal hierfür sind RFID-Etiketten (sog. „Tags"), die auf Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) Speicher basieren, da diese bei Bestrahlung mit Gamma-Teilchen im Gegensatz zu EEPROM-Tags nicht die Daten verlieren.
A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes like a RAM.
Ein ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher oder F-RAM ist ein nichtflüchtiger Speicher, der Lese- und Schreibvorgänge wie ein RAM-Speicher ausführt.
Ferroelectric random access memory device having short-lived cell detector available for life test for ferroelectric capacitor and method for testing ferroelectric memory cells
Ferroelektrischer Direktzugriffspeicher mit kurzlebigem Zelldetektor für Prüfung eines ferroelektrischen Kapazitors und Verfahren zur Prüfung von ferroelekrischen Speicherzellen
The ferroelectric random access memory device as set forth in claim 3, in which said short-lived cell detecting means (T15 to T18) increases the minimum potential difference sensible by said plurality of sense amplifiers (OSA0 to OSAm).
Ferroelektrische Freizugriffsspeichervorrichtung nach Anspruch 3, wobei das Kurzdauerzellen-Erfassungsmittel (T15 bis T18) die minimale Potentialdifferenz, die durch die Anzahl von Leseverstärkern (OSA0 bis OSAm) erfaßbar ist, erhöht.
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