Vertaling van "Formel Ga" in Engels
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Einrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Verbindungshalbleiter der ersten Überzugsschicht (16) durch die Formel Ga y Al 1-y N mit 0 < y <= 1 dargestellt wird.
The device according to any one of the claims 1 to 10, characterized in that said compound semiconductor of said first clad layer (16) is represented by the formula Ga y Al 1-y N, where 0 < y <= 1.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Galliumverbindung der allgemeinen Formel Ga x Al 1-x N (wobei 0 <= x <= 1) entspricht.
A method according to claim 1, characterised in that said gallium compound is represented by the general formula Ga x Al 1-x N (where 0 <= x <= 1).
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem als metallorganische Verbindung Trialkylgallium mit der chemischen Formel Ga(C n H 2n+1) 3 , wobei n eine ganze Zahl größer Null ist, verwendet wird.
Method according to Claim 1, in the case of which trialkyl gallium with the chemical formula Ga (C H), whereby n is a whole number greater than zero, is used as organic metal compound.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht die gleiche Zusammensetzung wie die Pufferschicht aufweist und durch die Formel Ga X Al 1-X N (0.5 ≦ X ≦ 1) dargestellt ist.
A method according to claim 1, characterized in that said semiconductor layer has the same composition of said buffer layer and is represented by formula Ga X Al 1-X N (0.5 ≦ X ≦ 1).
Photoelektrischer Detektor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet , daß die Halbleitermaterialien unter die allgemeine chemische Formel Ga x Al 1-x As fallen.
Photoelectric detector according to claim 8, characterised in that said semiconductor materials comply with the general chemical formula Ga x Al l-x As.
Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der quaternäre Stoff die allgemeine Formel Ga x In 1-x As y P 1-y besitzt, in der x und y Konzentrationen sind, und daß der binäre Stoff InP ist.
Device according to claim 3 characterised in that the quaternary substance has the general formula Ga x In 1-x As y P 1-y in which x and y are concentrations and the binary substance is InP.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die selektive Abscheidung von Gallium unter Verwendung von Dimethylgalliumhydrid mit der chemischen Formel Ga(CH 3) 2 H und H 2 erfolgt.
Method according to Claim 1, in the case of which the selective deposition of gallium takes place using dimethyl gallium hydride with the chemical formula Ga (CH) H and H.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß eine amorphe Schicht der Formel Ga x Sb 1-x verwendet wird, in der x = 0,48 - 0,52 ist.
A method as claimed in Claim 1, characterized in that an amorphous layer of the formula Ga x Sb 1-x is used, wherein x = 0.48 - 0.52.
Stoff gemäß Anspruch 2 mit der Formel Ga 1-x Mn x As oder In 1-x Mn x As.
The substance of claim 2 of the formula: Ga 1-x Mn x As or In 1-x Mn x As.
