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semiconductor substrate
Verfahren zur Untersuchung von Strukturen auf einem Halbleiter-Substrat
Method for structure investigation in a semiconductor substrate
Beschleunigungs-Sensor nach Anspruch 1, worin der Sensor-Abschnitt ein Halbleiter-Substrat umfasst.
An acceleration sensor according to claim 1, wherein said sensor section comprises a semiconductor substrate.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlageregion (10) ein Halbleiter-Substrat umfaßt.
The method of any foregoing claim, wherein said underlying region (10) comprises a semiconductor substrate.
Kontaktstruktur nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß das leitende Element ein Halbleiter-Substrat (10) umfaßt.
The contact structure of claim 17, wherein the conductive element comprises a semiconductor substrate (10).
Mikromechanischer Schwingkreisel nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass er hergestellt wird durch Bearbeitung eines Halbleiter-Substrat (15, 50).
Microgyrometer according to any one of the preceding claims, characterized in that it is produced from a semiconductor substrate (15, 50).
Halbleiterbauteil nach Anspruch 12, bei dem das Halbleiter-Substrat, mit dem Induktanzabschnitt, darauf einen Schaltungsabschnitt (20 eines integrierten Schaltkreises aufweist.
The semiconductor device as set forth in claim 12, wherein the semiconductor substrate, having the inductance section, includes a circuit section (20) of an integrated circuit thereon.
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Vorrichtung nach Anspruch 9, worin der Schritt des Abscheidens der verfestigten Substanz des Quellen-Gases auf dem Halbleiter-Substrat und der Schritt, daß man die so abgeschiedene verfestigte Substanz einer thermischen Bearbeitung unterzieht, gleichzeitig durchgeführt werden.
A method of fabricating a semiconductor device as in claim 9, wherein the step of depositing the solidified substance of the source gas onto the semiconductor substrate and the step of subjecting the thus deposited solidified substance to thermal processing are simultaneously carried out.
Vorrichtung nach Anspruch 2, bei der die erste Lage (27) dicker als die zweite Lage (28) ist und auf dem Halbleiter-Substrat (22) ausgebildet ist.
Apparatus according to claim 2 wherein said first layer (27) is thicker than said second layer (28) and is formed on said semiconductor substrate (22).
Biosensor-Array nach einem der Ansprüche 25 bis 31, bei dem das Substrat ein Keramik-Substrat; ein Halbleiter-Substrat; ein Glas-Substrat; oder ein Plastik-Substrat ist.
The biosensor array as claimed in one of claims 25 to 31, in which the substrate is a ceramic substrate; a semiconductor substrate; a glass substrate; or a plastic substrate.
Photodetektorelement, welches ein Schaltungselement enthält, nach Anspruch 1, ferner umfassend ein lichtemittierendes Element (16), das auf einem dritten korrosionshemmenden Metallbereich (13a, 14a, 14b), der auf dem Halbleiter-Substrat gebildet ist, gebildet ist.
The photodetector element containing a circuit element according to claim 1, further comprising a light emitting element (16) formed on a third anti-corrosion metal portion (13a, 14a, 14b) formed on said semiconductor substrate.
Photodetektorelement, welches ein Schaltungselement enthält, nach Anspruch 1, bei dem das Halbleiter-Substrat den Photodetektorbereich (22) enthält, und das Photodetektorelement ferner einen Antireflexionsfilm (17) umfaßt, der auf dem Photodetektorbereich (22) gebildet ist.
The photodetector element containing a circuit element according to claim 1, where said semiconductor substrate includes said photodetector portion (22), and said photodetector element further comprising anti-reflection film (17) formed on said photodetector portion (22).
Vorrichtung nach Anspruch 13, ferner umfassend eine Zielstelle (67), welche so ausgelegt ist, dass in die Bahn des scannenden Ionen-Strahls ein Halbleiter-Substrat mit einer ausgewählten Oberfläche positioniert wird, damit diese den scannenden Ionen-Strahl empfängt.
The apparatus of claim 13 further comprising an end station (67) arranged to position in the path of the scanned ion beam a semiconductor substrate having a selected surface for receiving the scanned ion beam.
Thermischer Mikrodurchflußsensor nach Anspruch 1, bei dem das Material des Heizdrahtes (4) ein Polysilizium ist und der Heizdraht (4) auf dem Halbleiter-Substrat (1) mit Hilfe der Halbleiter-Herstellungstechnologie angebracht ist.
A thermal micro flow sensor according to Claim 1, wherein the material of said heating wire (4) is polysilicon and said heating wire (4) is formed on said semiconductor substrate (1) by means of semiconductor fabrication technology.
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