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Optischer Halbleitermodulator gemäß Anspruch 1, bei dem die Kernschicht aus einer intrinsischen Mehrfachquantentopfstruktur besteht.
A semiconductor optical modulator according to claim 1, wherein said core layer is of intrinsic multiple quantum well construction.
Halbleitermodulator vom Mach-Zehnder-Typ nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Halbleiterwellenleiterschicht in einer Mehrfachquantenwell-Struktur gestaltet ist.
The semiconductor Mach-Zehnder modulator as claimed in claim 1 or 2, wherein said semiconductor waveguide layer is designed in a multi-quantum well structure.
Steuerbarer Halbleitermodulator mit gestaffelten Kontakten.
Wellenlängenstabilisiertes Lasermodul nach Anspruch 1, bei dem der Halbleiterlaser (1) einen Aufbau aufweist, bei dem der Halbleiterlaser (1) mit einem optischen Halbleitermodulator vom Anregungs-Absorptions-Typ integriert ist.
A wavelength stabilized laser module as claimed in claim 1, wherein said semiconductor laser (1) has a construction in which said semiconductor laser (1) is integrated with an exciton absorption type semiconductor optical modulator.
Optischer Halbleitermodulator mit Quantentopfstruktur zur Erhöhung der effektiven Fotostromerzeugungskapazität
Semiconductor optical modulator having a quantum well structure for increasing effective photocurrent generating capability
Optischer Halbleitermodulator gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die charakteristische Impedanz des optischen Halbleitermodulators niedriger als ungefähr 40 Ω ist.
A semiconductor optical modulator according to any preceding claim, wherein the characteristic impedance of said semiconductor optical modulator is less than approximately 40 Ω.
Optischer Halbleitermodulator gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der Teil der Kernschicht, innerhalb dessen das angelegte elektrische Feld fähig ist, eine Dämpfung der Übertragung von Licht zu bewirken, eine Länge von weniger als ungefähr 400 µm hat.
A semiconductor optical modulator according to any preceding claim, wherein the portion of said core layer within which said applied electric field is capable of effecting attenuation of the transmission of light has a length of less than approximately 400 µm.
Optischer Halbleitermodulator gemäß Anspruch 1 oder Anspruch 2, bei dem die intrinsische Halbleiter-Kernschicht (5) die einzige Schicht undotierten Halbleitermaterials ist.
A semiconductor optical modulator according to claim 1 or claim 2, wherein said intrinsic semiconductor core layer (5) is the only layer of non-doped semiconductor material present.
Optischer Halbleitermodulator gemäß Anspruch 1 oder Anspruch 2, bei dem die Schicht undotierten Halbleitermaterials zusätzlich eine zwischen der Kernschicht (5) und der ersten oder der zweiten Mantelschicht (3,6) ausgebildete erste undotierte Halbleiterteilschicht (4) aufweist.
A semiconductor optical modulator according to claim 1 or claim 2, wherein said layer of non-doped semiconductor material further includes a first non-doped semiconductor sublayer (4) provided between said core layer (5) and one of said first and second cladding layers (3,6).
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