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InAs
Vertaling van "InAs" in Engels
Ina's
InAs
Die Morphologie von InAs Nanodrähten, die ohne Goldpartikel wuchsen wird be- schrieben.
The morphology of InAs nanowires grown without gold particle is studied.
Darüber hinaus wurde die Kristallstruktur der InAs Nanodrähte mittels Transmissionselektronenmikroskopie erforscht.
Moreover, the crystal structure of InAs nanowires was studied by transmission electron microscopy.
Das Parameterfenster für Nanodrahtwachstum wurde hinsichtlich Wachstumstemperatur und Flussraten untersucht und die thermische Stabilität der InAs Nanodrähte bei hohen Temperaturen analysiert.
The nanowire growth parameter window with respect to growth temperature and flux rates was investigated and the high temperature thermal stability of InAs nanowires analyzed.
Die hexagonale Struktur der InAs(111)B wurde beobachtet.
The analysis of the InAs(111)B surface shows the hexagonal pattern.
InAs Nanodrähte mit vier Gate-Fingern
InAs nanowire with four gate fingers
In der Vergangenheit wurden Halbleiternanodrähte meistens aus nur einem Material, z.B. InAs, hergestellt.
In the past, often semiconductor nanowires were made of a single material, e.g. InAs.
Unter Verwendung der für InAs relevanten Parameter, schlagen wir auf Grundlage dieses Effekts ein reflektionslosen Spinschalter vor.
Assuming parameters relevant for InAs we propose a scheme of a reflectionless spin-switch based on this effect.
Die relativ kleine Energielücke einiger Halbleiter wie z.B. InAs führt durch die starke Kopplung benachbarter Bänder zu einer ausgeprägten Nichtparabolizität der Energie-Impuls Dispersionsrelation.
The relatively small energy gap of some semiconductors like InAs and the related pronounced coupling of neighbouring bands leads to strong non-parabolic effects in the energy vs. momentum dispersion relation.
Der Hauptteil der vorliegenden Arbeit widmet sich der theoretischen Untersuchung der elektronischen und magnetischen Struktur von Fe-Ketten auf der InAs(110) Oberfläche.
The first part of this work presents a theoretical study of the electronic and magnetic structure of Fe chains on the InAs(110) surface.
Die Supraleiterelektroden aus Nb sind über das quasi zweidimensionale Elektronengas in der Inversionsschicht auf p-Typ InAs miteinander verbunden.
The Nb superconducting electrodes are coupled by the quasi two-dimensional electron gas in the p-type InAs inversion layer.
Feldeffekttransistor nach Anspruch 18, worin die erste Halbleiter-Einschubschicht (21) aus einem Halbleiter hergestellt ist, dessen Gitterkonstante von derjenigen von InAs der InAs-Schicht um 3,5 % oder mehr verschieden ist.
The field effect transistor as claimed in claim 18, wherein said first semiconductor insert layer (21) is made of a semiconductor whose lattice constant differs from that of InAs in the InAs layer by 3.5% or higher.
Feldeffekttransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Differenz zwischen der Gitterkonstante des Substrats (1) und derjenigen von InAs der InAs-Schicht (3) 3,5 % oder höher ist.
The field effect transistor as claimed in claim 1, characterized in that the difference between the lattice constant of the substrate (1) and that of InAs of the InAs layer (3) is 3.5% or higher.
Somit kann das Elektron unter Erhaltung der Qubit-Information in den InAs QD tunneln.
By this, the electron may tunnel to the InAs QD while maintaining the qubit information.
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Synoniemen voor InAs in het Duits
Suggesties
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