Vertaling van "LC-Element" in Engels
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Laminiertes LC-Element nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem der zweite Leiter (50) sektions- bzw. abschnittsweise mit Masse verbunden ist.
A laminated LC element according to any one of claims 1 to 8, wherein said second conductor (50) is sectionally grounded.
Schaltung, die ein LC-Element nach Anspruch 1 oder 2 in Kombination mit Anspruch 8 oder 9 aufweist, die ein Mittel zum variablen Einstellen einer Gatespannung, die an die Gateelektrode angelegt wird, um so den Widerstand des Kanals variabel zu steuern, aufweist.
A circuit comprising an LC element according to claim 1 or 2 in combination with claims 8 or 9, comprising means for variably setting a gate voltage applied to said gate electrode so as to variably control the resistance of said channel.
Laminiertes LC-Element und sein Herstellungsverfahren.
Laminated LC element and method for manufacturing the same.
Laminiertes LC-Element nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem die ersten leitenden Elemente (44) auf isolierenden Schichten derart angeordnet sind, daß sie einen Spulendurchmesser definieren, der sich von einer isolierenden Schicht zu einer anderen isolierenden Schicht verändert.
A laminated LC element according to any one of claims 1 to 9, wherein said first conductor elements (44) are disposed on insulating layers such that they define a coil diameter changing from one insulating layer to another insulating layer.
Laminiertes LC-Element nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem Oberflächen der isolierenden Schichten fein aufgerauht sind, und bei dem die ersten und zweiten Leiter (40, 50) auf der aufgerauhten Oberfläche als Schicht aufgebracht sind.
A laminated LC element according to any one of claims 1 to 7, wherein surfaces of said insulating layers are finely roughened, and said first and second conductors (40, 50) are coated on said roughened surface.
Schaltung, die ein LC-Element nach einem der Ansprüche 1, 2, 5 und 6 aufweist, die eine Pufferschaltung (32, 34, 36), die mit der Ausgangsseite der Signalübertragungsleitung verbunden ist, aufweist.
A circuit comprising an LC element according to any one of claims 1, 2, 5 and 6, comprising a buffer circuit (32, 34, 36) connected to the output side of said signal transmission line.
Alarmvorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Oszillatorkreis (20) ein drittes LC-Element (L3, C5) aufweist, das mit dem Emitter flottierend verbunden ist.
The alarm apparatus of claim 6, characterized in that said oscillator circuit (20) comprises a third LC element (L3, C5) which is connected to said emitter in floating manner.
LC-Element, Halbleiteranordnung, und Verfahren zur Herstellung des LC-Elements.
LC element, semiconductor device, and LC element manufacturing method.
Halbleiterbauelement mit LC-Element und Verfahren zur Herstellung.
LC element, semiconductor device and LC element manufacturing method.
Alarmvorrichtung nach Anspruch 5 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Energieabzug (I) am Emitterzweig des Oszillator-Transistors (T1) in Reihe mit dem zweiten LC-Element (L2, C4) liegt.
The alarm apparatus of claim 5 or 7, characterized in that said energy sink (I) is located in the emitter branch of said oscillator transistor (T1) in series to said second LC element (L2, C4).
LC-Element nach einem der Ansprüche 1 - 24, bei dem ein Puffer (55) mit der Ausgangsseite der Signalübertragungsleitung verbunden ist.
An LC element according any one of the claims 1 - 24, wherein a buffer (55) is connected to the output side of said signal transmission line.
LC-Element nach Anspruch 2, bei dem das Halbleitersubstrat (30) eine Inversionsschicht aufweist, die entweder einen n-Bereich oder einen p-Bereich aufweist, die zwischen benachbarten Abschnitten der ersten und zweiten Elektroden (10, 26) ausgebildet ist.
An LC element according to claim 2, wherein said semiconductor substrate (30) comprises an inversion layer comprising either one of an n region or a p region formed between adjacent portions of said first and second electrodes (10,26).
LC-Element nach einem der Ansprüche 1 - 22, bei dem Ladungsträger zuvor in einer Position, die der ersten Elektrode (10) nahe der Oberfläche des Halbleitersubstrates (30) entspricht, injiziert werden.
An LC element according any one of the claims 1 - 22, wherein carriers are injected beforehand at a position corresponding to said first electrode (10) near the surface of said semiconductor substrate (30).
