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MOS integrated
Schaltungsanordnung für die Prüfung von Speicherzellen programmierbarer MOS-integrierter Halbleiterspeicher.
Circuit for testing cells of an integrated semiconductor programmable memory.
Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung ist für alle integrierten Schaltungsn in C-MOS-Technik geeignet, insbesondere für Clock- und Bustreiber.
The circuit arrangement according to the invention is suitable for all integrated circuits in CMOS technology, particularly for clock and bus drivers.
Integrierte Halbleitervorrichtung mit einem Vertikal-MOS-Transistor, bestehend aus
Integrated device with a trench isolation structure, and fabrication process therefor
Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Temperatursensor mit einem vertikalen Leistungs-MOS-FET monolithisch integriert ist.
Arrangement according to one of Claims 1 to 3, characterized in that the temperature sensor is monolithically integrated with a vertical power MOSFET.
Um zu bestimmen, inwieweit die mittels C-AFM beobachteten nanoskaligen Veränderungen im Dielektrikum das Verhalten des makroskopischen Bauelements beeinflussen, wurden epitaktische High-K-Schichten aus Praseodymoxid (Pr2O3) erstmalig vollständig in MOS-Transistoren integriert.
In order to determine to what extent the observed microscopic changes affect macroscopic device behavior, epitaxial dielectric layers are integrated for the first time into complete devices.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass in den Grundkörper (20) ein weiterer Bereich (B3) mit mindestens einem lateralen MOS-FET integriert ist.
Circuit arrangement according to Claim 7 or 8, characterized in that a further region (B3) with at least one lateral MOSFET is integrated into the basic body (20).
Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 4-8, dadurch gekennzeichnet, daß der Gleichrichter (4) und der Komparator (8) in einem C-MOS-Gatter realisiert sind, wobei eine der integrierten Schutzdioden als Gleichrichter (4) verwendet wird.
Circuit arrangement according to one of Claims 4-8, characterized in that the rectifier (4) and the comparator (8) are in the form of a CMOS gate, with one of the integrated protection diodes being used as the rectifier (4).
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