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MOSFET or IGBT
Halbleiterleistungsmodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterbauelemente (5, 6) Dioden, Bipolartransistoren, MOSFET oder IGBT sind und beidseitig für Druck- oder Lötkontaktierungen, einseitig strukturiert, beschichtet sind.
The semiconductor power module according to claim 1, characterised in that the semiconductor components (5, 6) are diodes, bipolar transistors, MOSFET or IGBT and are coated on both sides for pressure or solder contacts and structured on one side.
Der Gleichrichter und der Wechselrichter sind mit schnellen Leistungsmodulen (MOSFET oder IGBT) ausgerüstet, die mit Frequenzen von 10 - 20 kHz geschaltet werden können.
The rectifier and inverter contain fast power devices (MOSFET or IGBT) capable of switching frequencies of 10-20 kHz.
Beim Anfahren und einer elektrischen Drehfrequenz von weniger als 1Hz ist dies aber physikalisch nicht möglich und das Drehmoment hängt im Wesentlichen von nur einem MOSFET oder IGBT ab, weshalb das maximal zur Verfügung stehende Drehmoment auf ein Drittel reduziert wird.
However, this is not physically possible during starting and with an electric rotational frequency of less than 1 Hz. Furthermore, the torque basically depends on only one MOSFET or IGBT, which is why the maximum available torque is reduced to 1/3.
In jedem Fall wird eins von zwei verwendet: MOSFET oder IGBT.
In either case, one of two is used: MOSFET or IGBT.
Bipolartransistoren - Wenn Ihre Anwendung einen Bipolartransistor mit extrem niedriger Sättigungsspannung für Schaltkreise oder eine besonders hohe Verstärkungsverzögerung bei hohem Spitzenstrom zum Antrieb eines MOSFET oder IGBT erfordert, dann stellt Diodes Inc. die optimale Lösung für Sie bereit.
Bipolar Transistors - If your application demands an extremely low saturation voltage bipolar transistor for switching circuits, or excellent gain hold-up at high peak current to drive your MOSFET or IGBT, then Diodes, Inc. has the best solution for you.
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