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MOSFET-Transistor mit nicht-gleichmässiger Schwellspannung im Kanalbereich.
MOSFET transistor with a non uniform threshold voltage in the channel region.
Das Gate des ersten MOSFET-Transistor 1 liegt auf Bezugspotential.
The gate of the first MOSFET transistor 1 is at reference potential.
Vorrichtung nach Anspruch 4 oder 5, wobei der Transistor ein MOSFET-Transistor ist.
The device according to claim 4 or claim 5, wherein the transistor is a MOSFET type transistor.
Elektronische Schaltung zur Steuerung eines Anlassers nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das unidirektionale Halbleiterelement aus einem Hilfstransistor (T3) in der Ausführung als MOSFET-Transistor besteht.
Electronic control circuit for a starter according to claim 1, characterised in that the unidirectional semiconductor element is formed by an auxiliary transistor (T3) of the MOSFET type.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, - bei der das Bauelement (T) mindestens einen MOSFET-Transistor umfasst.
The circuit arrangement as claimed in claim 1, - in which the component (T) includes at least one MOSFET transistor.
Vorrichtung zum Begrenzen der Arbeitsspannung für mechanische Schalter in der Fernsprechtechnik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste MOSFET-Transistor (27) ein Verarmungstransistor ist.
A device for limiting the working voltage for mechanical switches in telephony according to claim 1, characterized in that said first MOSFET transistor (27) is a depletion transistor.
Vorrichtung zum Begrenzen der Arbeitsspannung für mechanische Schalter in der Fernsprechtechnik nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der erste MOSFET-Transistor (27) ein Verarmungstransistor ist, welcher in der Lage ist zu arbeiten, ohne seine maximale Arbeitsspannung zu beeinträchtigen.
A device for limiting the working voltage for mechanical switches in telephony according to one or more of the preceding claims, characterized in that said first MOSFET transistor (27) is a depletion transistor suitable to work without compromising its maximum working voltage.
Die Stromversorgung gemäß Anspruch 3, wobei der zweite MOSFET-Transistor (150) und die Pulsbreitenmodulations-Steuervorrichtung (134) in einem einzelnen integrierten Schaltkreis gefertigt sind.
The power supply of claim3 wherein said second MOSFET transistor (150) and said pulse width modulation controller (134) are fabricated on a single integrated circuit.
Nachdem dieses überwachte Gate-Potenzial einen Wert erreicht hat, der für ein Abschalten des abzuschaltenden Transistors charakteristisch ist, wird der einzuschaltende MOSFET-Transistor durch den ihm zugeordneten Komparator eingeschaltet.
Once the monitored gate signal reaches a value which is characteristic for disconnection of the transistor which is to be disconnected, said MOSFET transistor to be disconnected is disconnected by the capacitor associated therewith.
Strahlungsdetektor nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Erfassungsvorrichtung (T2) einen MOSFET-Transistor umfaßt, der einen sehr hohen Eingangs-Scheinwiderstand besitzt, so daß die Ladungsspeicher-Eigenschaften der Diodenanordnung (20) nicht wesentlich dadurch während der Anwendung beeinflußt werden.
Radiation detection apparatus according to claim 9 characterised in that the monitoring means (T2) comprises a MOSFET transistor having a very high input impedance, so that the charge storage characteristics of the diodic structure (20) are not substantially affected thereby in use.
Oszillatorschaltung gemäß Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Bauteil ein MOSFET-Transistor (M2) und der hohe Widerstand der Ein-Widerstand des MOSFET ist.
An oscillator circuit as claimed in claim 1, 2 or 3, characterized in that said component is a mosfet transistor (M2) and said high resistance is the on-resistance of said mosfet.
System gemäß Anspruch 4, in welchem besagter kompensierter Schalter einen MOSFET-Transistor und einen Kondensator mit einem Kapazitätswert, welcher im Wesentlichen gleich ist mit der parasitären Kapazität des besagten MOSFET-Transistors, umfasst.
The system as recited in claim 4, wherein said compensated switch comprises a MOSFET transistor and a capacitor with a capacitance value being essentially equal to the parasitic capacitance of said MOSFET.
Injektionsschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Integrationskondensator (18) von einem MOSFET-Transistor (21) gebildet wird, der als Folgerquelle geschaltet ist.
Injection circuit according to Claim 2, characterized in that the integrating capacitance (18) consists of a MOSFET transistor (21) connected as a source follower.
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