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programming pulse
Der Programmierimpuls treibt die Speicherzelle in einen Zustand mit hohem oder niedrigem Widerstand, was von der Höhe des Stroms abhängig ist.
The programming pulse drives the memory cell to a state with high or low resistance, which is dependent on the magnitude of the current.
Verfahren nach Anspruch 26, worin a die maximale Änderung der Spannungsschwelle ist, die mit einem groben Programmierimpuls in eine Zelle induziert werden kann.
A method according to claim 26, wherein a is the maximum change in threshold voltage that can be induced in a cell with a coarse programming pulse.
Das Verfahren nach Anspruch 2, wobei die Speicherzelle eine Bitleitung enthält und der Programmierimpuls umfaßt, daß eine Bitleitungsspannung mit der Bitleitung gekoppelt wird.
The method of claim 2, wherein the memory cell includes a bitline and the programming pulse includes a bitline voltage coupled to the bitline.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Programmierimpulse für den Schritt des Bereitstellens von einer anderen Dauer sind als der Programmierimpuls für den Schritt des Erhöhens.
A method according to claim 1 wherein for said step of providing, said programming pulses have a different duration than said programming pulse for said step of raising.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Erzeugungsschritt der gespeicherte Wert nochmals bestimmt wird und ein neuer Programmierimpuls erzeugt wird, wenn der neu bestimmte gespeicherte Wert von dem gewünschten Programmierwert abweicht.
A method according to claim 1 or 2, characterised in that after said generating step, the stored value is determined once more, and if the newly determined stored value differs from said desired programming value, a new programming pulse is generated.
Das Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Programmierimpuls eine Programmierimpulsdauer aufweist, die im Schritt a) einen Anfangswert hat, und wobei der Schritt c) ferner das Einstellen (106) der Programmierimpulsdauer auf einen zweiten Wert umfaßt, der geringer als der Anfangswert ist.
The method of claim 1, wherein the programming pulse has a program pulse duration having an initial value in step a) and wherein step c) further comprises setting (106) the program pulse duration to a second value that is less than the initial value.
Integrierter Schaltkreis nach Anspruch 20, wobei zumindest eine der fehlerhaften Bitleitungen eine Injizierung einer größeren Ladung von dem weichen Programmierimpuls erfordert als jede der ordnungsgemäßen Bitleitungen, um einen übermäßig gelöschten Zustand zu überwinden bzw. zu kompensieren.
The integrated circuit of claim 20, wherein at least one of the defective bit lines requires greater charge injection from the soft programming pulse than each of the conforming bit lines to overcome an over-erased condition.
Verfahren nach Anspruch 12, wobei das Programmieren mit kleinen Programmierschritten das Beibehalten eines im Allgemeinen konstanten Absaugspannungsniveaus (V BL) für jeden Programmierimpuls umfasst.
A method according to claim 12 wherein said programming with small programming steps comprises maintaining a generally constant drain voltage level (V BL) for each programming pulse.
Verfahren nach Anspruch 1, welches ferner nach jedem Programmierimpuls den Schritt der Ermittlung, ob sich die programmierte Schwellenspannung (V TH) über oder unter dem Sollwert befindet, umfasst.
A method according to claim 1 and also comprising the step of determining after each programming pulse if the programmed threshold voltage (V TH) is above or below the target level.
Matrix nach Anspruch 15, bei welcher die Programmierschaltungsmittel die Speicherzellen dadurch vorbereiten, daß ein Vorbereitungsimpuls angelegt wird, der eine niedrigere Energie als ein Programmierimpuls zum Programmieren aller Speicherzellen hat.
The array of Claim 15 wherein said programming circuit means conditions said memory cells by applying a conditioning pulse having less energy than that of a programming pulse for programming all of said memory cells.
Verfahren der weichen Programmierung nach Anspruch 1, wobei der weiche Programmierimpuls übermäßig gelöschte Zellen repariert, so daß die übermäßig gelöschten Zellen erneut programmiert werden können, wenn nicht zuvor eine Reparatur-Verifizierungsoperation angewendet wurde.
The soft programming method of claim 1, wherein the soft programming pulse repairs over-erased cells so that the over-erased cells may be reprogrammed absent a previously applied repair verify operation.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei der erste Programmierimpuls und die Programmierwiederholungsimpulse erzeugt werden durch Anlegen einer negativen Spannung an dem Steuergate und einer variablen Spannung an der Drain, so daß ein Fowler-Nordheim-Tunneln induziert wird, um die Flash-Speicherzelle zu entladen.
The method of claim 1 or claim 2, wherein the first program pulse and program retry pulses are generated by supplying a negative voltage to the control gate and a variable voltage to the drain, such that Fowler-Nordheim tunneling is induced to discharge the flash memory cell.
Der Programmierimpuls treibt die Speicherzelle in einen Zustand mit hohem oder niedrigem Widerstand, was von der Höhe des Stroms abhängig ist.
In fact, when the phase change material in a memory cell, the memory cell can be thought of as a programmable resistor, which reversibly change between high and low resistance state.
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