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said pull-down transistor
Gerät nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Gateanschluss des Pull-down-Transistors (M6) an einen Knoten (C) zwischen dem weiteren Transistor und der Reihe von Transistoren angeschlossen ist.
Device according to claim 8, characterised in that said gate terminal of said pull-down transistor (M6) is connected to a node (C) between said further transistor and said series of transistors.
ECL-Schaltung nach Anspruch 4, wobei der Kollektor-Basis-Übergang des Pull-down-Transistors kurzgeschlossen ist.
The ECL circuit of claim 4 wherein the collector-base junction of said pull-down transistor is shorted.
ECL-Schaltung nach jedem Anspruch 1 bis 3, wobei der zweite Widerstand gleich Null ist, so daß die dritte Basiselektrode direkt mit dem Basisknoten (B) des Pull-down-Transistors (TDN) verbunden ist.
The ECL circuit of any claim 1 to 3 wherein second resistor is equal to zero so that said third base electrode is directly connected to the base node (B) of said pull-down transistor (TDN).
Schaltung gemäß Anspruch 2, wobei der Satz von Transistoren weiterhin umfasst: einen mit dem Gate-Anschluss des Pull-Up-Transistors verbundenen Shut-Off-PMOS-Transistor; und eine Shut-Off-NMOS-Transistor-Verbindung mit dem Gate-Anschluss des Pull-Down-Transistors.
The circuit of claim 2 wherein said set of transistors further comprise: a shut-off PMOS transistor connected to the gate of said pull-up transistor; and a shut-off NMOS transistor connection to the gate of said pull-down transistor.
CMOS-Ausgangspufferschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die vierte RC-Verzögerungsschaltung zum Begrenzen der Anstiegsrate der Gate-Source-Spannung am Gate-Anschluß des Pull-Down-Transistors (N6) dient.
A CMOS output buffer circuit as claimed in any of the preceding claims. characterised in that the fourth RC delay circuit limits the rate of rise of the gate-to-source voltage at the gate of said pull-down transistor (N6).
IC-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, mit einer Einrichtung zum Ermöglichen einer Deaktivierung der ersten und zweiten Stromquellen und zum Aktivieren des Pull-down-Transistors im wesentlichen zur gleichen Zeit, zu der die ersten und zweiten Stromquellen deaktiviert werden.
The integrated circuit as claimed in any of claims 1 to 9 including means for permitting deactivation of said first and second power sources and for activating said pull-down transistor at substantially the same time as said first and second power sources are deactivated.
ECL-Schaltung nach jedem obengenannten Anspruch, wobei eine Pegelumsetzer-Einheit (TD) zwischen dem Schaltungsausgangsknoten (OUT4, Fig. 4) und dem Kollektor des Pull-down-Transistors (TDN) angeschlossen ist.
The ECL circuit of any above claim wherein a level shifter device (TD) is connected between the circuit output node (OUT4, Fig. 4) and the collector of the pull-down transistor (TDN).
Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, bei der eines der Gates (25) einen Teil eines Zugangstransistors umfaßt und der andere Teil der Gates einen Teil eines Pull-Down-Transistors umfaßt.
The integrated circuit of claim 1 in which one of said gates (25) comprises a portion of an access transistor, and the other of said gates comprises a portion of a pull down transistor.
Schaltung nach Anspruch 4 oder Anspruch 6, bei welcher der Kollektor des Beschleunigungstransistors (44) mit dem Kollektor des Pull-Down-Transistors (16) verbunden ist.
A circuit as claimed in claim 4 or claim 6, wherein the collector of said speed up transistor (44) is connected to said collector of said pull down transistor (16).
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Synoniemen voor Pull-down-Transistors in het Duits
