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Feldeffekttransistor mit einer Sourceelektrode, die den Kontakt einer tiefen P-Zone aufnimmt.
Field effect transistor with a deep P body contacted by the source electrode.
Schaltung nach Anspruch 1, wobei jeder Kondensator elektrisch mit der Sourceelektrode des entsprechenden Feldeffekttransistors gekoppelt ist.
The circuit of claim 1, wherein each capacitor is electrically coupled to the source electrode of said corresponding field-effect transistor.
Spannungsgesteuerter Oszillator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Anschluß eine Drainelektrode ist, der zweite Anschluß eine Gateelektrode und der dritte Anschluß eine Sourceelektrode ist.
A voltage-controlled oscillator as recited in claim 1, wherein said first terminal is a drain electrode, said second terminal is a gate electrode and said third terminal is a source electrode.
Platte nach Anspruch 6, bei der jede Drainleitung zwischen zwei aneinandergrenzenden Sourceelektroden angeordnet ist, wodurch ein Stromweg von einer einzigen Sourceelektrode zu einer angrenzenden Drainleitung oder von zwei aneinandergrenzenden Sourceelektroden zu einer dazwischen befindlichen Drainleitung verläuft.
The panel as claimed in claim 6, in which each drain line is disposed between two adjacent source electrodes, whereby a current path extends from a single source electrode to an adjacent drain line, or from two adjacent source electrodes to an intermediate drain line.
Dünnfilmtransistor nach Anspruch 1, bei dem die Sourceelektrode (112) und die Drainelektrode (113) jeweils einen Teil des ersten Abschnitts der Gateelektrode bedecken.
A thin film transistor as claimed in claim 1 wherein the source electrode (112) and the drain electrode (113) each cover part of said first portion of said gate electrode.
Halbleiter-Bauelemente gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Steuerelektrode (20) in der Nähe der Sourceelektrode (14a) befindet.
A semiconductor device according to claim 1, characterized in that said control electrode (20) is in proximity with said source electrode (14b).
Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 2, ferner umfassend Entfernen des dotierten amorphen Siliciumfilms zwischen der Sourceelektrode (32a) und der Drainelektrode (32b).
The method of manufacturing a liquid crystal display according to claim 2, further comprising removing the doped amorphous silicon film between the source electrode (32a) and the drain electrode (32b).
Vorverstärker (50) nach Anspruch 10, einschließlich eines frequenzgangformenden Kondensators (72), der zwischen die Sourceelektrode des ersten Transistors (52) und den zweiten Anschluß der ersten Lastimpedanz (68, 70) geschaltet ist.
Preamplifier (50) according to claim 10, including a frequency shaping capacitor (72) connected between the source electrode of the first transistor (52) and the second terminal of the first load impedance (68, 70).
Der Bipolartransistor mit isoliertem Gate nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die fünfte Halbleiterschicht (6) nahe bei einem Kontaktflächenabschnitt (103) der Sourceelektrode (10) angeordnet ist.
The insulated gate bipolar transistor of claim 1, wherein the fifth semiconductor layer (6) is located proximate to a pad portion (103) of the source electrode (10).
Schaltung nach Anspruch 1, wobei jede Wanne (2) elektrisch mit der Sourceelektrode eines ersten Feldeffekttransistors (Q k) in der Reihe gekoppelt ist, der in der Wanne ausgebildet ist.
The circuit of claim 1. wherein each well (2) is electrically coupled to the source electrode of a first field-effect transistor (Q k) in said series in said well.
Ein Feldeffekt-Transistor nach einem vorhergehenden Anspruch, wobei der Abstand zwischen der Gateelektrode (17) und der Drainelektrode (20) größer als der zwischen der Gateelektrode und der Sourceelektrode (21) ist.
A field effect transistor according to any preceding claim, wherein the distance between the gate electrode (17) and the drain electrode (20) is greater than that between the gate electrode and the source electrode (21).
Bipolartransistor mit isoliertem Gate nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Sourceelektrode (17) auf dem Sourcegebiet (14) vorgesehen ist, um jedes des Paars von Basisgebieten (13) zu überlappen.
The insulated gate bipolar transistor according to claim 1, characterized in that a source electrode (17) is provided on the source region (14) so as to overlap each of the pair of base regions (13).
Ein Dünnschichttransistor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Kanalschutzschicht (939) innerhalb eines Bereiches entsprechend der Gate-Elektrode (911) unterhalb der Sourceelektrode (951) und der Drainelektrode (941) angeordnet ist.
A thin-film transistor according to claim 4, characterized in that said channel protection film (939) is disposed within an area corresponding to said gate electrode (911) below said source electrode (951) and said drain electrode (941).
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