Nichtflüchtiger Speicher nach Anspruch 1, wobei die Sourceleitung mit einer Anzahl von Fenstern für den Durchtritt ultravioletter Strahlen versehen ist.
A non-volatile memory, according to claim 1: wherein said source line is provided with a plurality of ultraviolet rays transmission windows.
Flache Platte nach Anspruch 13, bei der die Pixel der Paare von benachbarten Pixeln auf entgegengesetzten Seiten der gemeinsam genutzten Sourceleitung (226,326) positioniert sind.
A flat panel as defined in claim 13 wherein the pixels of said pairs of adjacent pixels are positioned on opposite sides of said shared source line (226,326).
Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Verzögerungseinrichtung angeordnet ist, um die Entladung der Sourceleitung zu verzögern, bis ein Potential auf der Drainleitung auf einen vorbestimmten Pegel abgefallen ist.
A semiconductor storage device according to claim 1, wherein the delay means is arranged to delay the discharge of the source line until a potential on the drain line has fallen to a predetermined level.
Integrierter Schaltkreis nach Anspruch 1, welcher zumindest eine Sourceleitung (122) parallel zu der Mehrzahl von globalen Bitleitungen aufweist, welche mit der Mehrzahl von Sourcereferenzleitern verbunden ist.
The integrated circuit of claim 1, including at least one source line (122) parallel to the plurality of global bit lines, and coupled to the plurality of source reference conductors.
Integrierter Speicherschaltkreis nach Anspruch 9 oder 10, wobei es zwei lokale Bitleitungen in der Mehrzahl von Sätzen lokaler Bitleitungen gibt, die mit jeder lokalen Sourceleitung in der Mehrzahl von Sätzen lokaler Sourceleitungen verbunden sind.
The integrated circuit memory of claim 9 or claim 10, wherein there are two local bit lines in the plurality of sets of local bit lines coupled to each local source line in the plurality of sets of local source lines.
Integrierter Schaltkreismodul nach Anspruch 24, wobei die lokalen Bitleitungen (121,123) und die lokale Sourceleitung (122) in der Mehrzahl von Segmenten eingegrabene Diffusionsbereiche in dem Halbleitersubstrat aufweisen.
The integrated circuit module of claim 24, wherein the local bit lines (121,123) and the local source line (122) in the plurality of segments comprise buried diffusion regions in the semiconductor substrate.
Zellenmatrix (16) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jede Sourceleitung (2) abwechselnd mit einem Paar Drainleitungen (3) angeordnet ist, und daß Oxidstreifen (17) zwischen den Drainleitungen (3) angeordnet sind.
Cell matrix (16) according to claim 1, characterized in that each source line (2) is alternated with a pair of drain lines (3) and that oxide strips (17) are interposed between said drain lines (3).
Platte nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der die Matrix rechtwinklig angeordnete Source- und Drainleitungen umfaßt, und bei der die Sourceleitungen die senkrecht zu der Sourceleitung und parallel zu den Drainleitungen angeordneten Sourceelektroden einschließen.
The panel as claimed in any preceding claim, in which the matrix comprises orthogonally-disposed source and drain lines, and in which the source lines include the source electrodes disposed normal to the source line and parallel to the drain lines.
Das beschriebene EEPROM zeichnet sich dadurch aus, daß die über eine einzelne Wortleitung (WL) ansprechbaren Speicherzellen in eine Vielzahl von Gruppen aufgeteilt sind, von denen jeder eine separate gemeinsame Sourceleitung (SL) zugeordnet ist.
The EEPROM is characterised in that the memory locations which can be addressed via a single word line (WL) are divided into a number of groups to each of which a separate common source line (SL) is allocated.
Festspeicher nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherzellen jeweils mit einer Wortleitung (WL), einer Bitleitung (BL) und einer Sourceleitung (SL) verbunden sind.
Read-only memory according to Claim 1 or 2, characterized in that the memory cells are each connected to a word line (WL), a bit line (BL) and a source line (SL).
Die Sourcegebiete (S1, S2) der Eintransistor-Speicherzellen (T1, T2) werden hierbei über eine Sourceleitung (SL1) angeschlossen, während die Draingebiete (D1, D2) über entsprechende Drainleitungen (DL1) angeschlossen werden.
The source regions (S1, S2) of the one-transistor memory cells (T1, T2) are interconnected via a source line (SL1), whereas the drain regions (D1, D2) are interconnected via corresponding drain lines (DL1).
Verfahren zur Herstellung eines nichtflüchtigen Speichers nach Anspruch 3, wobei dem Schritt des Ausbildens einer Sourceleitung ein Schritt zur Ausbildung einer Öffnung in der Sourceleitung in der Nähe der Steuergate-Elektrode folgt.
A method for fabricating a non-volatile memory, according to claim 3: wherein said step of forming a source line is followed by a step of forming an opening in said source line in the vicinity of said control gate electrode.
Damit ist es möglich, eine negative Spannung an die gemeinsame Sourceleitung zu legen, ohne den Logikteil zu beeinflussen.
This makes it possible to apply a negative voltage to the common source line, without affecting the logic part.
