We konden deze vermelding niet vinden. Er worden benaderende resultaten weergegeven. Controleer je spelling of stel voor deze term aan het woordenboek toe te voegen.
the floating gate
said floating gate
A Halbleiterspeicher nach Anspruch 9, wobei das Floating-Gate aus Metall oder hochdotiertem Poly-Silizium besteht.
The semiconductor memory of claim 9, wherein the floating gate made of metal or highly doped poly-silicon.
Elektrisch programmierbarer Speicher nach Anspruch 1 oder 2, bei dem das Floating-Gate ein Polysiliziummaterial aufweist.
An electrically programmable memory as claimed in claim 1 or 2 wherein the floating gate comprises a polysilicon material.
Nichtflüchtige Speichervorrichtung nach einem der voranstehenden Ansprüche, wobei: das Floating-Gate (32) abgerundete Kanten aufweist.
A non-volatile storage device according to any preceding claim, wherein: said floating gate (32) has rounded edges.
Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Floating-Gate (14-1) und das Steuer-Gate (16-1) jeweils aus einem Material gebildet sind, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus Polysilizium, hitzebeständigem Metall und Silizid hitzebeständigen Metalls.
A nonvolatile semiconductor memory device according to claim 2, characterized in that each of said floating gate (14-1) and control gate (16-1) is formed of a material selected from a group consisting of polysilicon, refractory metal, and silicide of refractory metal.
Speicherzelle nach Anspruch 1, bei der das Floating-Gate (409,410) jedes Datenspeichertransistors (407,408) aus Polysilizium gebildet ist.
A memory cell as claimed in claim 1, wherein the floating gate (409,410) of each data storage transistor (407,408) is formed of polysilicon.
Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Floating-Gate (30) und die Gates des ersten (10) und zweiten (20) Transistors als einzelne Polymerlage ausgebildet sind.
The memory according to any of claims 1 to 4, characterized in that said floating gate (30) and the gates of said first (10) and second (20) transistors are embodied as single polymer layer.
Speicherzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der das Floating-Gate (24) einen dritten Abschnitt mit einer relativ großen Oberfläche aufweist, der mit einem sich in gleicher Weise erstreckenden Abschnitt des Steuergates (26) kapazitiv koppelt.
The memory cell according to any preceding claim, wherein the floating gate (24) has a third portion having a relatively large surface area which capacitively couples with a co-extensive portion of the control gate (26).
Speicherzelle einem der Ansprüche 5 bis 9, bei der das Steuergate (26) und das Floating-Gate (24) in einem Bereich gekoppelt sind, der im wesentlichen über dem Dickoxidbereich liegt.
The memory cell according to claims 5 to 9, wherein the control gate (26) and the floating gate (24) are coupled in a region substantially overlying the thick oxide region.
Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet , dass das Floating-Gate und die dritte Dotierungsstufe vor Ausbildung des Floating-Gates der ersten Speicherzelle und des Gates des Hochspannungstransistors definiert werden.
A method as claimed in claim 9, characterized in that the floating gate and the third doping step are defined prior to defining the floating gate of the first memory cell and the gate of the high-voltage transistor.
Der nicht-flüchtige bidirektionale Schalter nach Anspruch 1, wobei das Floating-Gate gelöscht wird, indem eine Programmierspannung V pp an den ersten Gate-Anschluß angelegt und der erste Source/Drain-Anschluß auf Masse gelegt wird.
The non-volatile bi-directional switch as set forth in claim 1, wherein the floating gate is erased by applying a programming voltage Vpp to the first gate terminal and grounding the first source/drain terminal.
Halbleiteranordnung nach Anspruch 3, wobei das Steuergate (CG) aus einer anderen Polysiliciumschicht als der für das Floating-Gate (FG) verwendeten vorgesehen wird.
A semiconductor device according to claim 3, wherein said control gate (CG) is made of a poly silicon layer other than that used for the floating gate (FG).
Dabei erstreckt sich das Floating-Gate nur über einen Teil des Kanalbereichs, während sich die Steuerelektrode über den gesamten Kanalbereich er streckt und dabei im Bereich, wo kein Floating-Gate mehr ist, kapazitiv an den Kanal zu dessen Steuerung ankoppelt.
In this case, the floating gate extending only over a part of the channel region, while the control electrode over the entire channel region he stretches and thereby capacitively couple to the channel for its control in the region where no floating gate is more.
Potentieel gevoelige of ongepaste informatie
Er worden alleen voorbeelden gegeven om u te helpen het woord of de woordcombinatie waarop u hebt gezocht, te vertalen. Deze worden niet door ons geselecteerd of gevalideerd en kunnen ongepaste taal bevatten. Wij vragen u melding te maken van voorbeelden die dienen te worden aangepast of verwijderd. Vertalingen met grof of informeel taalgebruik worden meestal rood of oranje gemarkeerd.