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the floating gate
Jedes Mal, wenn Operationen auf einer SSD ausgeführt werden, wie beispielsweise Beschreiben oder Löschen der Zelle, wird die Oxidschicht, die die Elektronen auf dem Floating Gate gefangen hält, geschwächt.
Each time operations are performed, e.g. programming and erasing the cell, the oxide layer that traps electrons on the floating gate wears.
Da der Zustand der NAND-Zelle durch die Anzahl der Elektronen auf dem Floating Gate dargestellt wird, können einige wenige Elektronen den Unterschied zwischen einem Zustand und einem anderen Zustand ausmachen.
Since the state of a NAND cell is represented by the number of electrons on the floating gate even few electrons can make the difference between one state and another.
Bei einem Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterspeicherelement-Anordnung werden auf einem Substrat eine isolierende Schicht und ein Schichtsystem aus einem Floating Gate und einer auf dem Floating Gate aufgebrachten Tunnelbarrieren-Anordnung aufgebracht.
The invention relates to a method for producing a semiconductor memory element arrangement. According to said method, an isolating layer and a layer system consisting of a floating gate and a tunnel barrier arrangement applied to the floating gate are applied to a substrate.
Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung nach Anspruch 7, bei der das Einschreiben von Daten in die Speichertransistoren durchgeführt wird, indem das in dem floating Gate gespeicherte Elektron durch Tunnelstrom zu der Drain-Elektrode herausgeführt wird.
A semiconductor non-volatile memory device as set forth in claim 7, wherein the data writing to the memory transistors is carried out by drawing out the electron stored in the floating gate to the drain electrode by tunnelling current.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Speicherelemente elektrische Floating Gates sind, und wobei die gespeicherten Werte auf dem Floating Gate gespeicherte Ladungspegel sind, die Leitung durch Speicherzellentransistoren, von denen die Floating Gates ein Teil sind, beeinflussen.
The method of any preceding Claim, wherein the storage elements are electrically floating gates, and wherein the stored values are charge levels stored on the floating gates that affect conduction through memory cell transistors of which the floating gates are a part.
Der Transistor besteht dabei aus Sperr-Ebenen: Dem Control Gate und dem Floating Gate, die jeweils mit einer Oxidschicht voreinander getrennt sind.
It consists of two gates called Control gate and Floating gate insulated by a layer of oxide (you can see a schematic representation on the right).
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