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der Sourcebereich
Vertaling van "der Sourcebereich" in Engels
said source region
the source region
Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Sourcebereich (4) durch einen Bereich geschaffen wird, der in Spaltenrichtung dem Drain-Bereich (3) durch das Steuergate (1) gegenüberliegt.
A semiconductor memory device according to claim 7, characterized in that said source region (4) is provided by a region facing said drain region (3) through said control gate (1) in said column direction.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, wobei der Sourcebereich (11) und der Drainbereich (12a, 12b) selbstausrichtend bzw. selbstjustierend im Bezug auf die Gateelektrode (14a, 14b; 24a, 24b) sind.
A semiconductor device according to claim 2, wherein said source region (11) and said drain region (12a, 12b) are self-aligned with respect to said gate electrode (14a, 14b; 24a, 24b).
Photoelektrischer Wandler nach Anspruch 10,- bei dem der Sourcebereich des Transistors mit isoliertem Gate durch den Basisbereich (6) bereitgestellt wird.
A photoelectric converter according to claim 10 in which the source region of the insulated-gate type transistor is provided by the base region (6).
Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , dass der Sourcebereich und der Kanalbereich beide in dem Oberflächenbereich mit einer geringeren Dotierung vorgesehen sind.
A semiconductor device as claimed in claim 1, characterized in that the source region and the channel region are both situated in the surface area having a lower doping.
Bauteil nach Anspruch 31, wobei die niedrigohmige Kontaktschicht (71) eine Oberflächendiffusion vom gleichen Dottyp hat wie der Sourcebereich oder wie eine Schicht aus einem hochfesten Metall und aus einem Metallsilicid.
A device according to claim 31 in which the low-resistivity contact layer (71) is a shallow diffusion of the same dopant type as the source region or a layer of one of a refractory metal and a metal silicide. alignment machines.
Halbleitervorrichtung mit hoher Durchbruchspannung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Nut (10a) auf der Drainbereichseite angeordnet ist, und dass der Sourcebereich nicht auf der Drainbereichseite der ersten Nut (10a) vorhanden ist.
The high breakdown voltage semiconductor device according to claim 1, characterised in that said first groove (10a) is situated on the drain region side, and said source region is not present on the drain region side of said first groove (10a).
Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Störstellendiffusionsbereich tiefer als der Sourcebereich, der Drainbereich und der Substrat-Kontaktbereich ist.
A device as set forth in claim 1, wherein said impurity diffusion region is deeper than said source region, said drain region and said substrate contact region.
Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Sourcebereich (10) über einen Fremdstoff-Diffusionsbereich niedriger Konzentration und einen Fremdstoff-Diffusionsbereich hoher Konzentration verfügt.
A non-volatile semiconductor memory as claimed in any one of claims 1 to 4, characterised in that the source region (10) has a low concentration impurity diffusion region and a high concentration impurity diffusion region.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, wobei die Halbleiterschicht (31) der Drainbereich eines MOSFET in vertikaler Bauart und der Halbleiterbereich (32) der Sourcebereich des MOSFET in vertikaler Bauart ist.
The manufacturing method as set forth in claim 1, wherein the semiconductor layer (31) is a drain region of a vertical type MOSFET and the semiconductor region (32) is a source region of the vertical type MOSFET.
Schaltungseinrichtung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Sourcebereich (3) und/oder der Drainbereich ein Kontaktbereich für den Basisbereich (4) des Bipolartransistors (Ta) ist.
A circuit device according to Claim 1, 2 or 3, wherein at least one of said source region (3) and said drain region is a contact region for the base region (4) of said bipolar transistor (Ta).
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Synoniemen voor der Sourcebereich in het Duits
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