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die Basiszone
Vertaling van "die Basiszone" in Engels
the base zone
said base region
the base region
Erfindungsgemäß wird eine niedrig dotierte p-leitende Zone vorgesehen, die den Basis-Bereich eines npn-Transistors ringförmig umschließt und von der Oberfläche aus tiefer reicht als die Basiszone.
According to the invention, a lightly doped p-type zone is provided which encloses the base zone of an n-p-n transistor in ring form and extends from the surface to a greater depth than the base zone.
Zwischen den Inseln wird die Basiszone (3) durch Isolierschichten (8) gegen die Emittermetallisierung (5) isoliert.
Between the islands, the base zone (3) is insulated by insulating layers (8) from the emitter metallisation (5).
Lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, in der die Basiszone (10) aus mehreren Schichten von verschiedenen verbotenen Bändern besteht.
A light emitting semiconductor device as set forth in claim 1, wherein said base region (10) consists of multilayers with different forbidden gaps.
Transistor nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, dass sich die Kontaktzone (8) zumindest teilweise durch die Basiszone (4) erstreckt.
A transistor as claimed in claim 1, characterized in that said plug region (8) extends, at least partially, through said base region (4).
Vorrichtung nach Anspruch 1, in der die Basiszone (9) in der niedrig dotierten Schicht (4) gebildet ist.
A device according to claim 1, in which the base region (9) is provided within the said low doped layer (4).
Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, in der die Basiszone (9) um mindestens 1,2 µm von dem Abschnitt (23) hoher Störstellenkonzentration beabstandet ist.
A device according to any one of the preceding claims, in which the base region (9) is spaced from high impurity concentration portion (23) by at least 1.2µm.
Emitterzone (5) und epitaktische Schicht (7) sind in die Basiszone (4, 8) eingebettet, die wannenförmig innerhalb einer auf dem Substrat (1) ausgebildeten epitaktischen Schicht (2) angeordnet ist.
Emitter zone (5) and epitaxial layer (7) are embedded in the base zone (4, 8), which is of trough-shaped construction inside an epitaxial layer (2) on the substrate (1).
Zwischen Halbleitersubstrat und epitaktischer Schicht (2) befindet sind ein buried-layer (3), der bis an die Basiszone (4, 8) angrenzt.
Situated between semiconductor substrate and epitaxial layer (2) is a buried layer (3) which adjoins the base zone (4, 8).
Für diese Struktur ist wesentlich, daß die Basiszone eine größere laterale Querschnittsfläche als die unterhalb von ihr mit Abstand angeordnete und der Verminderung des Kollektor-Bahnwiderstands dienende vergrabene Zone (buried-layer) hat.
For this structure it is essential that the base zone has a larger lateral cross sectional area than the buried zone (buried layer) situated beneath it at a distance and serving to reduce the collector spreading resistance.
Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 14, bei dem die Basiszone des DMOS-Transistors durch Implantieren von Ionen mit einer Dosismenge von 5 x 10 14 cm -2 oder weniger gebildet wird.
The method as claimed in any one of claims 6 to 14, wherein said base region of said DMOS transistor is formed by implanting ions at a dose amount of 5x10 14 cm -2 or less.
Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Basiszone (5) einen in die Emitterzone (1) ragenden Finger (9) aufweist und daß der Finger durch den Metallsteg (10) kontaktiertist.
Thyristor according to Claim 1, characterised in that the base zone (5) has a finger (9) projecting into the emitter zone (1) and in that the finger is contacted by the metal bridge (10).
Halbleiteranordnung nach Anspruch 3, wobei die genannte Halbleiterzone (9) vom zweiten Leitungstyp ist und die Basiszone eines vertikalen Bipolar-Transistors ist.
A semiconductor device as claimed in Claim 3, wherein said semiconductor zone (9) is of the second conductivity type and is the base zone of a vertical bipolar transistor.
Wandler nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die Akkumulationszone (4) einer jeden Zelle (S1, S2, ..., Sn) die Basiszone eines photoempfindlichen Transistors ist.
Apparatus according to any one of the preceding claims in which the accumulation region (4) of each cell (S1, S2, ... Sn) is the base region of a photo-sensitive transistor.
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Synoniemen voor die Basiszone in het Duits
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