Speichereinheit nach Anspruch 1 oder einem der vorangehenden Ansprüche, bei welcher der gemeinsam genutzte Speicher (5, 28) ein dynamischer RAM, vorzugsweise ein RDRAM, ist.
The storage unit of claim 1 or any one of the above claims, wherein said shared storage (5, 28) is a dynamic RAM, and preferably a RDRAM.
Mikroprozessor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Auffrischschalterkreis (111) Mittel zum Durchführen einer Schaltoperation zwischen der CAS-vor-RAS Auffrischung und einer Selbstauffrischung aufweist, wobei ein Halten von Daten durch das Feld (115) dynamischer RAM's mit einem niedrigeren elektrischen Leistungsverbrauch vorgesehen wird.
A microprocessor according to claim 1 characterised in that said refresh switching circuit (111) includes means for performing a switching operation between said CAS-before-RAS refresh and self-refresh, thereby providing a data holding by said dynamic RAM array (115) with a lower consumed electric power.
Verknüpfter, integrierter, dynamischer RAM und Festwertspeicher.
Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei der Seitenorganisierte RAM (RAM) einen dynamischer RAM (DRAM) ist.
The method as defined in one of the Claims 1 to 9 wherein said page organized RAM (RAM) comprises dynamic RAM (DRAM).
System nach Anspruch 11, wobei der Z-Puffer ein dynamischer RAM (DRAM) ist.
The system as defined in Claim 11 wherein said Z-buffer comprises dynamic RAM (DRAM).
Dynamischer RAM nach Anspruch 1, weiterhin dadurch gekennzeichnet, daß der Kontaktsäulenvorsprung nahe bei einer Mitte jedes Blockes angeordnet ist.
A dynamic RAM according to claim 1, further characterized in that said contact pillar projection is arranged close to a center of each block.
Dynamischer RAM nach Anspruch 1, weiterhin dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleitersäulenvorsprünge obere und untere Teile haben, die eine Stufe dazwischen definieren.
A dynamic RAM according to claim 1, further characterized in that said semiconductor pillar projections have upper and lower portions which define a step therebetween.
Dynamischer RAM nach Anspruch 1, weiterhin dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleitersäulenvorsprung auf einer zweiten Isolierschicht gebildet ist, die in dem Halbleitersubstrat vergraben ist.
A dynamic RAM according to claim 1, further characterized in that said semiconductor pillar projection is formed on a second insulating layer buried in said semiconductor substrate.
Dynamischer RAM nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat zwei Halbleitersubstrate umfaßt, die darauf Isolierfilme haben, wobei die Isolierfilme miteinander verbunden sind.
A dynamic RAM according to claim 7, characterized in that said substrate comprises two semiconductor substrates having insulating films thereon, said insulating films being bonded together.
Dynamischer RAM nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine in dem Halbleitersubstrat vergrabene Isolierschicht, wobei die Halbleitersäulenvorsprünge auf einem Teil des Halbleitersubstrates gebildet sind, der auf der Isolierschicht gelegen ist.
A dynamic RAM according to claim 1, characterized by an insulating layer buried in said semiconductor substrate, and said semiconductor pillar projections are formed on a portion of said semiconductor substrate situated on said insulating layer.
Dynamischer RAM und Herstellungsverfahren.
Dynamic RAM and method of manufacturing the same.
Dynamischer RAM nach Anspruch 1, wobei eine Vielzahl von Gruppen aus dem Unterdatenfeld und dem TAG-Block zur Zeit eines Zugriffs bei jeweils separaten Zyklen aktiviert ist und zur Zeit eines Auffrischens gleichzeitig aktiviert ist.
A dynamic RAM as set forth in claim 1, wherein a plurality of sets of the sub-array and the TAG block is activated with each separate cycles at the time of access and activated concurrently at the time of refresh.
Dynamischer RAM mit On-Chip-Fehlerprüfung- und -korrektur und mit optimisierender Bit- und Wortredundanz.
Dynamic RAM with on-chip ECC and optimized bit and word redundancy.
