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erste Halbleitermaterial
Vertaling van "erste Halbleitermaterial" in Engels
first semiconductor material
Bauelemt nach irgend einem vorgehendem Anspruch, bei welchem das erste Halbleitermaterial zum Bilden einer leitenden Bahn geformt ist.
A device as claimed in any preceding claim, in which the first semiconductor material is shaped to form conductive path.
Photoleitfähiger Schalter nach einem der vorangegangenen Ansprüche, in dem das erste Halbleitermaterial stärker dotiert ist als das dritte Halbleitermaterial.
The photo-conductive switch of any one of the preceding claims, in which the first semiconductor material is more highly doped than the third semiconductor material.
Vorrichtung nach Anspruch 1, die zusätzlich eine Einrichtung zum Einbringen von Elektronen und/oder Löchern in das erste Halbleitermaterial umfaßt.
Apparatus of claim 1, further comprising means for injecting electrons and/or holes into the first semiconductor material.
Ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleitersubstrats nach Anspruch 1, bei dem das genannte erste Halbleitermaterial Silizium oder Siliziumcarbid ist.
A method for fabricating a semiconductor substrate as set forth in claim 1, wherein said first semiconductor material is silicon or silicon carbide.
Eine optoelektronische Halbleitereinheit wie in den vorhergehenden Ansprüchen, wobei das erste Halbleitermaterial eine Dicke von ca. einem Mikrometer hat und das zweite Halbleitermaterial eine Dicke von ca. 10 nm hat.
A semiconductor optoelectronic device as set forth in any one of the preceding claims wherein the first semiconductor material has a thickness of approximately one micrometer and wherein the second semiconductor material has a thickness of approximately 10 nm.
Verwendung nach Anspruch 9, wobei das erste Halbleitermaterial aus Aluminium, Arsen und Antimon und Dotierungsmaterialien besteht, um die Gesamtleistung zu optimieren, und das zweite Halbleitermaterial aus Gallium, Phosphor, Antimon und Dotierungsmaterialien besteht, um die Gesamtleistung zu optimieren.
The use according to claim 9 wherein the first semiconductor material consists of aluminium, arsenic, antimony and dopants to optimise the overall performance and the second semiconductor material consists of gallium, phosphorus, antimony and dopants to optimise the overall performance.
Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der das erste Halbleitermaterial strukturell oder in seiner Zusammensetzung so abgestuft ist, daß die Bewegung der Elektronen und/oder Löcher von dem ersten Halbleitermaterial in die Einfangschicht gesteigert wird.
Apparatus of claim 1, wherein the first semiconductor material is compositionally graded such that the movement of electrons and/or holes from the first semiconductor material into the trapping layer is enhanced.
Eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das genannte erste Halbleitermaterial eine Kristallstruktur des Diamanttyps hat und das genannte zweite Halbleitermaterial eine Kristallstruktur des Zinkblendetyps hat.
A semiconductor device as claimed in claim 1 characterized in that said first semiconductor material has a diamond-type crystal structure and said second semiconductor material has a zinc blende-type crystal structure.
Verfahren nach Anspruch 11, bei welchem: das erste Halbleitermaterial Silicium ist; das zweite Halbleitermaterial GaAs ist; die Maske aus Siliciumdioxid besteht; die ebene Schicht aus Photoresist besteht; und das Entfernen beim Schritt (e) von Anspruch 10 durch Photolithographie erfolgt.
The method of claim 11, wherein: said first semiconductor material is silicon; said second semiconductor material is GaAs; said mask is silicon dioxide; said planar layer is photoresist; and said removal in step (e) of claim 10 is by photolithography.
Transistoranordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Halbleitermaterial Silizium ist und die Halbleiterlegierung Germanium-Silizium enthält.
A transistor structure as claimed in Claim 3 characterised in that said first semiconductor material is silicon and said semiconductor alloy comprises germanium-silicon.
MIS-Transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Halbleitermaterial dadurch gebildet ist, daß in das erste Halbleitermaterial durch Ionenimplantation Atome eingesetzt sind, die von denjenigen des ersten Halbleitermaterials verschieden sind.
An MIS transistor according to Claim 1, characterized in that said second semiconductor material is formed by introducing, into said first semiconductor material, an atom different from that of said first semiconductor material by ion implantation.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, bei dem das Substrat Si ist und das erste Halbleitermaterial Ge x Si 1-x ist, wobei...
A semiconductor device according to claim 3, wherein the substrate is Si, and the first semiconductor material is Ge x Si 1-x, with...
Verfahren nach Anspruch 1, wobei dem das zweite Halbleitermaterial aus der aus InP, InAs und GaAs bestehenden Gruppe ausgewählt wird, und wobei das erste Halbleitermaterial epitaktisch zu dem zweiten Halbleitermaterial ist.
Method of claim 1, wherein the second semiconductor material is chosen from the group consisting of InP, InAs, and GaAs, and the first semiconductor material is epitaxial with the second semiconductor material.
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Synoniemen voor erste Halbleitermaterial in het Duits
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