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is patterned
Im Arbeitsablauf des Mustern-Tools müssen Sie festlegen, ob ein Werkzeugweg durch Verschiebung oder Rotation in die jeweilige Richtung gemustert wird.
In the workflow of the pattern tool, you must specify whether a tool path is patterned by translation or rotation in each direction.
Verfahren nach Anspruch 3, bei dem die gemusterte Schicht aus fluoriertem Polymer durch Photolithographie gemustert wird.
Method according to claim 3 wherein said patterned layer of fluorinated polymer is patterned by photolithography.
Verfahren nach Anspruch 12, bei dem der Leiterfilm nach dem Hydrierungsschritt gemustert wird, um eine Zwischenverbindungselektrode zu erzeugen.
A process as claimed in claim 12, wherein said conductor film is patterned after said hydrogenation step to provide an interconnecting electrode.
Verfahren nach Anspruch 18, bei dem die Schicht aus leitfähigem Material gemustert wird und das Muster vorzugsweise eine Reihe von parallelen Streifen umfaßt.
Method according to claim 18 wherein said layer of conductive material is patterned, preferably said pattern comprises a series of parallel stripes.
Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, in dem die Maske durch eine Photolithographietechnik gemustert wird.
A method as claimed in claim 7 or 8, in which the mask is patterned by a photolithography technique.
Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmtransistors nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß im zweiten Schritt der transparente, leitende Film durch isotropes Ätzen gemustert wird, um geneigte Oberflächen an den einander gegenüberliegenden Seiten der Source- und der Drainelektrode zu bilden.
The method of fabricating a thin-film transistor according to claim 6, characterized in that in said second step said transparent conductive film is patterned by isotropic etching to form tapered surfaces on the opposed sides of said source and drain electrodes.
Verfahren nach einem der Ansprüche 12, 13 oder 14, bei dem der auf dem Substrat auszubildende Film gemustert wird, um aktive und/oder passive supraleitende Bauelemente festzulegen.
A method as claimed in claim 12 or 13 or 14 wherein the film that is formed on the substrate is patterned for defining active and/or passive superconductive devices.
Verfahren zur Herstellung einer Lichtmodulationsvorrichtung nach Anspruch 4, bei dem im Schritt der Musterung der zweiten Elektrodendünnschicht und der piezoelektrischen Dünnschicht die zweite Elektrodendünnschicht in Vielecke gemustert wird.
The method of manufacturing a light modulation device according to claim 4, wherein in the step of patterning said second electrode thin film and said piezoelectric thin film said second electrode thin film is patterned into polygons.
Verfahren zur Herstellung eines bipolaren Transistors nach Anspruch 11, worin die erste Leitungsschicht so gemustert wird, dass sie teilweise zur hochkonzentrierten Kollektorfremdstoffschicht parallel ist, und die Kollektorelektrode so ausgebildet wird, dass sie teilweise die hochkonzentrierte Kollektorfremdstoffschicht überlappt.
A method for manufacturing a bipolar transistor as claimed in claim 11, wherein the first conductive layer is patterned so as to be partially parallel with the high-concentration collector impurity layer, and the collector electrode is formed so as to partially overlap the high-concentration collector impurity layer.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, worin die Gateelektrode (10) durch Verwenden eines Metallmusters (9) als Maske gemustert wird, welches Metallmuster (9) auf dem ersten leitfähigen Film (7) durch lokales Plattieren gebildet wird.
A method according to claim 1 or 2, wherein said gate electrode (10) is patterned by using a metal pattern (9) as a mask, the metal pattern (9) being formed on the first conductive film (7) by plating locally.
Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Freigabeschicht (16, 17) gemustert wird, bevor die mechanische Schicht (12) darauf aufgebracht wird.
A method according to claim 8, wherein said release layer (16, 17) is patterned prior to provision of said mechanical layer (12) thereon.
Beleuchtungseinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die mehrschichtige Konstruktion in einem Zweischrittverfahren unter Verwendung derselben Anlage gemustert wird.
The illuminating unit according to any one of Claims 1 to 6, wherein the multi-layer structure is patterned in a two-step process utilizing the same equipment.
Verfahren nach Anspruch 14, bei dem die Barriereschicht (106) durch Trockenätzen unter Verwendung von Ar/Cl 2 als Ätzgas gemustert wird.
The method of claim 14, wherein the barrier layer (106) is patterned by dry etching using Ar/Cl 2 as the etching gas.
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