Angetrieben durch Piezoaktoren erreichen sie Auflösungen bis 0,2 nm bei Ansprechzeiten im Millisekundenbereich.
The stages are driven by piezo actuators and achieve resolutions of up to 0.2 nm at response times in the millisecond range.
Die Wellenlängentoleranz beträgt auch hier ± 0,5 nm bei einer Stabilität von ± 0,005 nm.
The wavelength tolerance here is also ±0.5 nm at a stability of ±0.005 nm.
Gemessen wird dazu der Kurzschlussstrom der Solarzelle unter monochromatischer Beleuchtung im Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1200 nm bei gleichzeitiger Beleuchtung mit weißem Licht und einer Intensität zwischen null und einer Sonne.
This is done by measuring the short-circuit current of the solar cell is measured under monochromatic illu-mination at a wavelength range of 300 nm to 1200 nm with simultaneous illumination with white light with an intensity between zero and one sun.
Messung der Reflexion im Bereich von 175 - 3300 nm bei Einfallswinkeln von 8 - 45 º
Measurement of reflection in the range of 175 - 3300 nm with incidence angles of 8 - 45 º
Verfahren nach Anspruch 6, bei dem die zweite Schicht vorwiegend aus Siliziumdioxid besteht und in einer Dicke im Bereich von ungefähr 400 bis ungefähr 450 nm bei einer Einfallswellenlänge von 365 nm aufgebracht ist.
The process of claim 6 wherein said second layer consists essentially of silicon dioxide and has a thickness within the range of about 400 to 450 nm for an incident wavelength of 365 nm.
Schichtdicken sind in Lambda/Viertel-Einheiten ausgebildet und die Bezugswellenlänge beträgt 300 nm bei einem Einfallswinkel von (0 ± 15) Grad.
The layer thicknesses are configured in quarter-lambda units and the reference wavelength is 300 nm for an angle of incidence of (0 ± 15) degrees.
Optische Signalübertragungsleitung nach Anspruch 1, wobei das erste k der ersten Faser kleiner als oder gleich ungefähr 60 nm bei einer Wellenlänge von 1550 nm ist.
The optical signal transmission line of claim 1, wherein the first k of the first fiber is less than or equal to about 60 nm at a wavelength of 1550 nm.
Im Pikosekundenlabor können zeit- und ortsaufgelöste Photolumineszenzmessungen im ps-Bereich, sowie resonante Anregungen in dem Bereich von 190 nm bis 4000 nm bei Temperaturen von 4 K bis 400 K vorgenommen werden.
In the picoseconds lab time- and space-resolved photoluminescence measurements in the ps range, as well as resonant excitations in the range of 190 nm to 4000 nm at temperatures between 4 K and 400 K can be carried out.
Verfahren nach Anspruch 1, worin bei der Erzeugung der Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht die Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht bis zu einer Dicke von 3 bis 300 nm bei einem Durchgang erzeugt wird.
The method of claim 1, wherein in growing the carbon nanotube layer, the carbon nanotube layer is grown to a thickness of 3 to 300 nm at a time.
Es handelt sich dabei um astronomische Schmalbandfilter mit zentralen Wellenlängen zwischen 308 nm bis 684 nm bei Bandbreiten zwischen 4 nm bis 12 nm.
These are astronomical narrow band optical filters with centre wavelengths between 308 nm and 684 nm with bandwidths between 4 nm and 12 nm.
Die Beschichtungszusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 17, wobei besagte die Einfärbbarkeit verstärkende Verbindung Tetrahydroxybenzophenon in einer ausreichenden Menge umfaßt, um eine Extinktion von wenigstens 2,0 bei 385 nm bei einer Beschichtungsdicke auf einem Substrat von weniger als 10 Mikron bereitzustellen.
The coating composition of any of claims 1 to 17 wherein said tintability enhancing compound comprises tetrahydroxybenzophenone in an amount sufficient to provide an absorbance of at least 2.0 at 385 nm at a coating thickness on a substrate of less than 10 microns.
Mischung nach Anspruch 10, in der das Produkt eine Lichtdurchlässigkeit (Transmission) von mindestens 50 % in dem Wellenlängenbereich von 400 bis 800 nm bei einer Dicke von 100 nm hat.
A mixture as claimed in claim 10, in which the product has a transmittance of at least 50% in the range 400 - 800 nm at a thickness of 100 nanometres.
Film nach Anspruch 3, wobei der Film eine Phasendifferenz (Re) im Bereich von 400 bis 700 nm bei einer Wellenlänge von 590 nm und eine Phasendifferenzabweichung im Bereich von 0,01 bis 2 % Phasendifferenz hat.
The film of claim 3, wherein the film has a phase difference (Re) in the range of from 400 to 700 nm at a wavelength of 590 nm and has a phase difference nonuniformity in the range of 0.01 to 2% of a phase difference.
