Vertaling van "und TM-Moden" in Engels
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Optischer Richtkoppler nach Anspruch 1, bei dem die Länge des Abschnittes der zweiten und dritten Wellenleiter, die nebeneinanderliegend zu dem ersten Wellenleiter angeordnet sind, von der Kopplungsstärke der TE- und TM-Moden abhängt, die zu den zweiten und dritten Wellenleitern gekoppelt werden sollen.
An optical directional coupler defined in claim 1, wherein the length of the portion of the second and third waveguides in juxtaposition to said first waveguide is dependent on the coupling strength of the TE and TM modes to be coupled to said second and third waveguides.
Laserverstärker nach Anspruch 3 oder 4, wobei der Brechungsindex an der Grenze zwischen dem Aktivbereich und den Einschlußbereichen variiert wird, um ähnliche Einschlußfaktoren für die TE- und TM-Moden aufrechtzuerhalten.
A laser amplifier according to claim 3 or 4, wherein the refractive index is varied at the boundary between the active region and the confinement regions so as to maintain similar confinement factors for the TE and TM modes.
Laserverstärker nach Anspruch 1, wobei der Wellenleitungsraum derart gestaltet ist, daß es eine effektive optische Weglängendifferenz zwischen den TE- und TM-Moden von mindestens 2,5 x 10⁻⁴ m gibt.
A laser amplifier according to claim 1, wherein the waveguiding cavity is such that there is an effective optical path length difference between the TE and TM modes of at least 2.5 x 10⁻⁴ metres.
Laserverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei das Verhältnis der Einschlußfaktoren für die TE- und TM-Moden zumindest 0,9 beträgt.
A laser amplifier according to any one of claims 1 to 9, wherein the ratio of the confinement factors for the TE and TM modes is at least 0.9.
Halbleiterlaser mit verteilter Rückkopplung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die aktive Schicht bei den ersten und zweiten Bereichen gemeinsam gebildet wird und derart aufgebaut ist, daß auf jeden der TE-Moden und TM-Moden eine ungefähr gleiche Verstärkung übertragen wird.
A distributed feedback semiconductor laser according to any one of claims 1 to 5, said active layer being commonly formed in said first and second regions and constructed such that an approximately equal gain is imparted to each of the TE- and TM-modes.