Vertaling van "Bitleitung" in Frans
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Detektionsverfahren und -schaltung für Stromverluste in einer Bitleitung.
Procédé et circuit de détection de fuites de courant dans une ligne de bit.
Schaltung und Verfahren zum Verriegeln einer Bitleitung in einem nichtlflüchtigem Speicher
Circuit et procédé de verrouillage d'une ligne de bit dans une mémoire non volatile
Segmentierung der Bitleitung und des Steuergates in einem nichtflüchtigen Speicher
Porte de direction et segmentation de la ligne de bits dans des mémoires non volatiles
Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, wobei das Schaltbauelement mit dem Ende der Bitleitung (70), das am weitesten von der Oberfläche des Substrats weg ist, verbunden ist.
Le dispositif semiconducteur de la revendication 2 dans lequel ledit dispositif de commutation est connecté à l'extrémité de ladite ligne de bits (70) la plus éloignée de ladite surface dudit substrat.
Verfahren nach Anspruch 17, wobei das linksseitige Bit durch Anlegen bestimmter Spannungen an das Steuergatter oder die Bitleitung einer Nachbarzelle ausgewählt wird, die sich von den Spannungen der ausgewählten Zelle und Spannungen anderer unausgewählter Zellen unterscheiden.
Procédé selon la revendication 17 dans lequel ledit bit de côté gauche est sélectionné par l'application de tensions spécifiques sur une porte de commande d'une cellule avoisinante ou une ligne binaire, différentes des tensions de cellules sélectionnées et d'autres tensions de cellules non sélectionnées.
Leseverstärker nach Anspruch 2, bei dem die Begrenzungs-Diode einen Transistor mit einem Gate und einem Drain aufweist, welche wechselseitig mit der Bitleitung verbunden sind.
Amplificateur de détection selon la revendication 2, dans lequel ladite diode d'écrêtage comprend un transistor présentant une grille et un drain connectés mutuellement à ladite ligne binaire.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 3, wobei ein erstes Ende der Kette an eine Bitleitung gekoppelt ist.
Circuit intégré suivant la revendication 3, dans lequel une première extrémité de la chaîne est couplée à une ligne de bit.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 3, wobei ein erstes Ende der Kette an eine Bitleitung gekoppelt ist und ein zweites Ende der Kette an eine Plattenleitung gekoppelt ist.
Circuit intégré suivant la revendication 3, dans lequel une première extrémité de la chaîne est couplée à une ligne de bit et une deuxième extrémité de la chaîne est couplée à une ligne de plaque.
Schaltung zum Vorladen und Lesen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zum momentanen Modifizieren der Kenngrößen der Regelschaltung vorgesehen sind, um solange zu wirken, bis die Spannung an der Bitleitung im wesentlichen gleich der gewünschten Vorladungsspannung ist.
Circuit de précharge et lecture selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens pour modifier momentanément les caractéristiques du circuit d'asservissement sont prévus pour agir jusqu'à ce que la tension sur la ligne de bit soit sensiblement égale à la tension de précharge désirée.
Verfahren zur Herstellung einer nichtflüchtigen Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 11, bei welchem der Zeilendecodierer und der Spaltendecodierer, die mit der Wortleitung und der Bitleitung verbunden sind, nur durch Durchgangstransistoren gebildet werden.
Procédé de production d'un dispositif de mémoire non volatile à semi-conducteurs selon la revendication 11, dans lequel le décodeur de rangée et le décodeur de colonne connectés à la ligne de mot et à la ligne de bit ne sont formés que par des transistors de passage.
Das Speicherbauelement nach Anspruch 5, wobei die Voraufladeschaltung einen Voraufladetransistor aufweist, der mit der ersten Bitleitung (46, 48) gekoppelt ist.
Dispositif de mémoire selon la revendication 5, dans lequel le circuit de précharge comprend un transistor de précharge couplé à la première ligne de bit (46, 48).
Dynamische Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das oder jedes Register (5) durch Speicherzellen aufgebaut ist, die die gleichen wie eine Vielzahl von mit der ersten Bitleitung verbundenen Speicherzellen sind.
Dispositif de mémoire à semiconducteur dynamique selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit ou chaque dit registre (5) est construit au moyen de cellules de mémoire qui sont les mêmes qu'une pluralité de cellules de mémoire connectées à ladite première ligne de bit.
Verfahren nach Anspruch 14 oder Anspruch 15, wobei die Spannung an der Bitleitung auf einen Wert im Bereich von 0,5 bis 0,7 Volt vorgeladen wird, wobei der Spannungspegel an der ersten Wortleitung datenabhängig ist.
Procédé selon la revendication 14 ou la revendication 15, dans lequel la tension sur la ligne de bits est préchargée à une valeur comprise dans l'intervalle s'étendant de 0,5 à 0,7 volt, le niveau de tension sur la première ligne de mots dépend des données.
