Anhänger nach einem vorstehenden Anspruch, wobei der elektrische Schaltkreis ein integrierter CMOS- Schaltkreis geringer Verlustleistung ist.
Etiquette selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle ledit circuit électrique est un circuit intégré CMOS à basse puissance.
CMOS- und Bipolar-Herstellungsverfahren durch selektives, epitaxiales Aufwachsen zur Dimensionierung unterhalb von 0,5 Mikron.
Procédé de fabrication pour CMOS et éléments bipolaires utilisant la croissance épitaxiale sélective, à une échelle inférieure à 0,5 micron.
Verfahren zur Herstellung von CMOS- und Hochspannungs-elektronische-bauelemente beinhaltende Halbleiterbauelemente
Procédé pour la fabrication de dispositifs à semiconducteur incluant des dispositifs électroniques CMOS et à haute tension
Eine Reihe CMOS- und Speicherkondensatoren werden auf einer einzelnen Kristallsiliziumscheibe integriert, und die Abflusselektrode wird an die Pixelelektrode durch eine Öffnung angeschlossen, und die Pixelelektrode wird vom Aluminium als reflektierende Elektrode hergestellt.
Une rangée de condensateurs de CMOS et de stockage sont intégrées sur une gaufrette de silicium de monocristal, et l'électrode de drain est reliée à l'électrode de pixel par une ouverture, et l'électrode de pixel est faite d'aluminium comme électrode réfléchie.
Mehrschichtgehäuse nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten, zweiten und dritten Signaltypen vollständig differentielle Niederspannungshubsignale, quasi-differentielle Niederspannungshubsignale bzw. CMOS- oder TTL-Signale sind.
Boítier de conditionnement multicouche selon la revendication 3, caractérisé en ce que lesdits premier, deuxième et troisième types de signaux sont respectivement des signaux entièrement différentiels à faible évolution de tension, des signaux quasi-différentiels à faible évolution de tension et des signaux CMOS ou TTL.
Dreidimensionales Bilderfassungssystem nach Anspruch 11, wobei die Kamera (46) eine aus der Gruppe umfassend eine ladungsgekoppelte (CCD-) Kamera und ein komplementäres Metall-Oxid-Silicium- (CMOS-) Gerät ist.
Dispositif de capture d'image en trois dimensions selon la revendication 11, dans lequel ladite caméra (46) est l'une du groupe consistant en une caméra à couplage de charges (CCD) et un dispositif semi-conducteur à oxyde de métal complémentaire (CMOS).
Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß zur Trennung der Aufnahme in Bilder ein Mosaik-Filter für eine CMOS- oder CCD-Kamera eingesetzt wird.
Méthode selon la revendication 10, caractérisée en ce que, pour la séparation de la photographie en images, un filtre mosaïque pour une caméra CMOS ou CCD est utilisé.
Lesen Sie in der Computerdokumentation nach oder wenden Sie sich an den Hersteller des Computers, um Informationen zu den korrekten CMOS- und BIOS-Einstellungen für den Computer und zum Überprüfen und Ändern dieser Einstellungen zu erhalten.
Pour plus d'informations sur les paramètres corrects du BIOS et du CMOS de votre ordinateur et sur la vérification et la modification de ces paramètres, consultez la documentation de l'ordinateur ou contactez le fabricant.
Microsoft kann keine detaillierteren Anweisungen zum Ändern der CMOS- und BIOS-Einstellungen geben, da diese Einstellungen von Computer zu Computer unterschiedlich sind.
Microsoft ne peut pas fournir des instructions spécifiques à la modification des paramètres du CMOS et du BIOS, car ces paramètres sont propres à votre ordinateur.
Verfahren zur Herstellung von Isolationsstrukturen mit Gräben in einem Substrat aus Silizium für CMOS- und NMOS-Anordnungen.
Procédé de fabrication de structures d'isolation comportant de rainurés dans un substrat en silicium, utilisées pour des dispositifs CMOS et NMOS.
Für Forscher waren wissenschaftliche CMOS- bzw. sCMOS-Bildsensoren mit hoher Quanteneffizienz und hochauflösender Mikroskopie von enormem Nutzen.
Pour les chercheurs, les capteurs d'image sCMOS (scientific CMOS) offrant une efficacité quantique élevée et une microscopie à super-résolution sont extrêmement bénéfiques.
Verfahren zur Herstellung von CMOS- und Drain-Extension MOS Transistoren mit silizidiertem Gate
Procédé de fabrication des transistors CMOS et MOS à extension du drain, avec un grille en silicide
Falsche oder beschädigte CMOS- und BIOS-Einstellungen können zu Problemen beim Starten und Herunterfahren des Computers führen.
Des paramètres CMOS ou BIOS incorrects ou endommagés peuvent provoquer des problèmes de démarrage et/ou d'arrêt de l'ordinateur.
