Vertaling van "Flash-EEPROM" in Frans
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Anordnung von nichtflüchtigen EEPROM, insbesondere Flash-EEPROM
Speicher nach Anspruch 1, wobei der Speicher aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus einem EPROM, einem EEPROM und einem Flash-EEPROM besteht.
Mémoire selon la revendication 1, dans laquelle la mémoire est sélectionnée à partir du groupe constitué des mémoires mortes EPROM, EEPROM, et EEPROM flash.
Nichtflüchtige Speichervorrichtung nach Anspruch 7, wobei die mehreren Digitalschaltungen und die Befehlsinterpretiererschaltung so konfiguriert sind, daß die nichtflüchtige Speichervorrichtung ein Flash-EEPROM ist.
Dispositif de mémoire non-volatile selon la revendication 7, dans lequel la pluralité de circuits numériques et le circuit interpréteur d'ordres sont configurés pour que le dispositif de mémoire non-volatile soit une FLASH EEPROM.
Flash-EEPROM mit integrierter Anordnung zur Begrenzung der Löschung der Source-Spannung
Flash EEPROM avec dispositif intégré pour limiter la tension d'effacement de source
Flash-EEPROM mit gesteuerter Entladungszeit der Wortleitungs- und Sourcespannungen nach der Löschung
Flash EEPROM avec temps de décharge contrôlé des tensions de lignes de mot et de la source après l'effaçement
Verfahren und Vorrichtung zum Programmieren eines Flash-EEProm
Asymmetrisches merhschichtiges dielektrisches Material und ein Flash-EEPROM der es enthält.
Matériau diélectrique multicouche asymétrique et flash EEPROM l'utilisant.
Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, bei der der elektrisch löschbare, programmierbare Festwertspeicher (EEProm) ein Flash-EEPROM ist.
Dispositif conformément à la spécification 1 ou 2, pour lequel la mémoire fixe programmable électriquement effaçable (EEPROM) est un Flash-EEPROM.
Herstellungsverfahren einer Zenerdiode für Flash-EEPROM Bauteile
Doppelreihige Adressendekodierung- und Auswahlschaltung für eine elektrisch löschbare und programmierbare nichtflüchtige Speicheranordnung mit Redundanz, insbesondere für Flash-EEPROM Anordnungen
Circuit de décodage et de sélection d'adresse à deux rangées pour un dispositif de mémoire non-volatile électriquement effaçable et programmable avec redondance, particulièrement pour des dispositifs flash-EEPROM
Der Anmeldungsgegenstand betrifft eine Vorrichtung zur Spannungsvervielfachung auf der Basis einer geboosteten Ladungspumpe, die zum Beispiel als on-chip Hochspannungsgenerator bei EEPROM's und Flash-EEPROM's Verwendung findet.
L'invention concerne un dispositif de multiplication de tension basé sur une pompe de chargement amplifiée pouvant être utilisée, par exemple, comme générateur de haute tension sur la puce dans le cas d'une mémoire EEPROM et d'une mémoire EEPROM flash.
