Vertaling van "IC-Chip" in Frans
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Durch den kundenspezifischen IC-Chip wird die gewünschte Touch-Funktion gesteuert.
Grâce à la puce IC personnalisée pour contrôler la fonction tactile souhaitée.
Dieselbe Art von IC-Chip, aber die Gehäuseform ist unterschiedlich.
Le même type de puce IC, mais la forme du boîtier est différente.
Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, realisiert auf einem einzigen IC-Chip.
Circuit tel que revendiqué dans l'une quelconque des revendications précédentes, réalisé sur une seule puce de circuit intégré.
Verfahren gemäß Anspruch 5, wobei der Schritt des elektrischen Verbindens des IC-Chips mit den Durchgangslöchern ein Drahtbinden zwischen dem IC-Chip (4) und mit den Durchgangslöchern verbundenen Anschlussabschnitten (2b) durchführt.
Procédé selon la revendication 5, dans lequel ladite étape consistant à connecter électriquement ladite puce de circuit intégré auxdits trous de passage effectue une liaison câblée entre ladite puce de circuit intégré (4) et les parties de languette (2b) connectées auxdits trous de passage.
Die intelligente IC-Chip erkennt automatisch das angeschlossene Gerät, um die maximale Leistung angemessen zu liefern.
La puce IC intelligente détecte automatiquement l'appareil connecté, pour fournir la puissance maximale appropriée.
IC-Chip nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei der Leiter niedriger Impedanz eine Netzanschlußleitung ist.
Puce IC suivant l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le conducteur à faible impédance est une ligne d'alimentation en courant.
IC-Chip nach Anspruch 1, wobei die ringförmigen und kreisförmigen Anschlüsse (34, 42) in der epitaxialen Schicht (32) über dem Bereich (30) der eingebetteten Schicht gebildet sind.
Puce IC suivant la revendication 1, dans lequel les tampons (34, 42) annulaire et circulaire sont formés dans la couche (32) épitaxiale au-dessus de la région (30) de couche enterrée.
IC-Chip nach Anspruch 1 oder 2, wobei der ringförmige Anschluß (34) mit einer höheren Konzentration Dotiermaterial dotiert ist als die epitaxiale Schicht (32).
Puce IC suivant la revendication 1 ou 2, dans lequel le tampon (34) annulaire est dopé avec un dopant de concentration plus élevée que ne l'est la couche (32) épitaxiale.
Zudem besitzt das Keramikgehäuse eine spezielle Aushöhlung, die den IC-Chip vor mechanischen Belastungen und dem Kontakt mit aggressiven Chemikalien schützt.
Le package en céramique est en outre conçu avec une structure alvéolaire spéciale pour protéger la puce IC des contraintes mécaniques et de l'exposition chimique.
IC-Chip nach Anspruch 1, bei dem die programmierbare Sicherung während des Testvorgangs vom Tester elektrisch ausgelöst werden kann.
Puce de circuit intégré selon la revendication 1, dans laquelle ledit fusible programmable peut être claqué électriquement par le dispositif de test durant l'opération de test.
IC-Chip nach Anspruch 1, bei dem die einzelnen Werte der Justierwiderstände in einer geometrischen Folge gewichtet sind.
Puce de circuit intégré selon la revendication 1, dans laquelle les valeurs respectives desdites résistances d'ajustement sont pondérées suivant une progression géométrique.
IC-Chip nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die Dotiermaterialdichten des Bereichs der eingebetteten Schicht der ersten Elektrode und der die andere Elektrode umfassende tief diffundierte Bereich hinreichend hoch sind, um einen oberflächennahen Lawinendurchbruch zu erzielen.
Puce IC suivant l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les densités de dopant de la région de couche enterrée de la première électrode et la région à diffusion profonde comportant l'autre électrode sont suffisamment élevées pour obtenir une coupure à avalanche en sous-surface.
IC-Chip nach Anspruch 1, bei dem die programmierbare Sicherung einer mittelhohen Spannung widerstehen kann, damit das Auslösen der Sicherung simuliert werden kann, ohne die programmierbare Sicherung, deren Widerstand in der Größenordnung von 80 Ohm liegt, tatsächlich auszulösen.
Puce de circuit intégré selon la revendication 1, où ledit fusible programmable peut supporter une tension modérément élevée dans le but de simuler le claquage de fusible sans claquer réellement le fusible programmable, dont la valeur ohmique est de l'ordre de 80 ohms.