Vertaling van "RAM-ZELLE" in Frans
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Die Eigenschaften der Esaki-Diode werden in Zusammenhang mit Abbildung 12 beschrieben, und es wird dargelegt, daß sie zu verbesserten Eigenschaften der RAM-Zelle führen.
Les caractéristiques de la diode Esaki sont décrites par référence à la figure 12, et il est expliqué que ces caractéristiques améliorent les caractéristiques de la cellule RAM.
ZWISCHENSCHICHTIGER KONTAKT ZUR VERWENDUNG IN EINER STATISCHEN RAM-ZELLE.
CONTACT INTERCOUCHE DESTINE A ÊTRE UTILISE DANS UNE CELLULE RAM STATIQUE.
Statische Ram-Zelle mit an Masse verbundene Graben-Transistoren und vergrabene Masseschicht
Cellule ram statique avec transistors à tranchées reliés à la masse et couche de masse enfuite
Verfahren zum Charakterisieren eines Leckstromes bei der Herstellung einer dynamischen RAM-Zelle.
Procédé pour caractériser le courant de fuite pendant la fabrication de cellules de mémoire dynamiques à accès aléatoire.
Statische RAM-Zelle mit Stromversorgung über die Spaltenleiter.
Circuit de mémoire vive statique alimentée par les conducteurs de colonne.
Eine dynamische RAM-Zelle gemäß Anspruch 5, bei dem die Elektrode (32) aus starkdotiertem polykristallinen Silicium besteht.
Une cellule mémoire à accès aléatoire dynamique selon la revendication 5, dans laquelle ladite électrode (32) est constituée de silicium polycristallin fortement dopé.
Speicherzelle nach Anspruch 1 oder 2, in welcher die Speicherzelle aus einer statischen RAM-Zelle besteht.
Une cellule de mémoire selon la revendication 1 ou la revendication 2, consistant en une cellule de mémoire vive statique.
Eine dynamische RAM-Zelle gemäß einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 3, bei der die mindestens eine Zugangsvorrichtung (12) ein Feldeffekttransistor ist.
Une cellule mémoire à accès aléatoire dynamique selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle ledit au moins un dispositif d'accès (12) est un transistor à effet de champ.
Dynamische RAM-Zelle mit hoher Dichte
Eine dynamische RAM-Zelle gemäß Anspruch 1 oder 2, die ferner Mittel (38, 44, 46) zum Zusammenschließen dieser mindestens einen Zugangsvorrichtung (12) und dieses mindestens einen Speichermittels (14) umfaßt.
Une cellule mémoire à accès aléatoire dynamique selon la revendication 1 ou 2, comprenant en outre des moyens (38, 44, 46) pour interconnecter ledit au moins un dispositif d'accès (12) et ledit au moins un moyen de stockage (14).
Eine logische Anordnung nach Anspruch 2 oder 3, bei der die statische RAM-Zelle in CMOS-Technologie vier über Kreuz gekoppelte FETs (Q1 bis Q4) enthält.
Un réseau logique, conformément à la revendication 2 ou 3, caractérisé en ce que ladite cellule de mémoire RAM statique de technologie CMOS est constituée de quatre FET interconnectés (Q1 à Q4).
Eine dynamische RAM-Zelle gemäß Anspruch 1, in dem der vergrabene Isolierkragen (36) zusammenhängend mit einem Teil dieser mindestens einen Zugangsvorrichtung (12) ist.
Une cellule mémoire à accès aléatoire dynamique selon la revendication 1, dans laquelle ladite collerette isolante (36) noyée est contiguë à une partie dudit au moins un dispositif d'accès (12).
Eine dynamische RAM-Zelle gemäß einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 4, bei der dieses mindestens eine Speichermittel (14) eine Elektrode (32) ist, die in einer isolierten, beabstandeten Beziehung zu dem Substrat (16) angeordnet ist.
Une cellule mémoire à accès aléatoire dynamique selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans laquelle ledit au moins un moyen de stockage (14) est une électrode (32) disposée en une relation espacée, isolante, vis-à-vis dudit substrat (16).
