Vertaling van "RAM-Zelle" in Frans
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Die Eigenschaften der Esaki-Diode werden in Zusammenhang mit Abbildung 12 beschrieben, und es wird dargelegt, daß sie zu verbesserten Eigenschaften der RAM-Zelle führen.
Les caractéristiques de la diode Esaki sont décrites par référence à la figure 12, et il est expliqué que ces caractéristiques améliorent les caractéristiques de la cellule RAM.
Statische Ram-Zelle mit an Masse verbundene Graben-Transistoren und vergrabene Masseschicht
Cellule ram statique avec transistors à tranchées reliés à la masse et couche de masse enfuite
ZWISCHENSCHICHTIGER KONTAKT ZUR VERWENDUNG IN EINER STATISCHEN RAM-ZELLE.
CONTACT INTERCOUCHE DESTINE A ÊTRE UTILISE DANS UNE CELLULE RAM STATIQUE.
Verfahren zum Charakterisieren eines Leckstromes bei der Herstellung einer dynamischen RAM-Zelle.
Procédé pour caractériser le courant de fuite pendant la fabrication de cellules de mémoire dynamiques à accès aléatoire.
Statische RAM-Zelle mit Stromversorgung über die Spaltenleiter.
Circuit de mémoire vive statique alimentée par les conducteurs de colonne.
Eine dynamische RAM-Zelle gemäß Anspruch 5, bei dem die Elektrode (32) aus starkdotiertem polykristallinen Silicium besteht.
Une cellule mémoire à accès aléatoire dynamique selon la revendication 5, dans laquelle ladite électrode (32) est constituée de silicium polycristallin fortement dopé.
Speicherzelle nach Anspruch 1 oder 2, in welcher die Speicherzelle aus einer statischen RAM-Zelle besteht.
Une cellule de mémoire selon la revendication 1 ou la revendication 2, consistant en une cellule de mémoire vive statique.
Eine dynamische RAM-Zelle gemäß einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 3, bei der die mindestens eine Zugangsvorrichtung (12) ein Feldeffekttransistor ist.
Une cellule mémoire à accès aléatoire dynamique selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle ledit au moins un dispositif d'accès (12) est un transistor à effet de champ.
Dynamische RAM-Zelle mit hoher Dichte
Eine dynamische RAM-Zelle gemäß Anspruch 1 oder 2, die ferner Mittel (38, 44, 46) zum Zusammenschließen dieser mindestens einen Zugangsvorrichtung (12) und dieses mindestens einen Speichermittels (14) umfaßt.
Une cellule mémoire à accès aléatoire dynamique selon la revendication 1 ou 2, comprenant en outre des moyens (38, 44, 46) pour interconnecter ledit au moins un dispositif d'accès (12) et ledit au moins un moyen de stockage (14).
Eine dynamische RAM-Zelle gemäß Anspruch 1, in dem der vergrabene Isolierkragen (36) zusammenhängend mit einem Teil dieser mindestens einen Zugangsvorrichtung (12) ist.
Une cellule mémoire à accès aléatoire dynamique selon la revendication 1, dans laquelle ladite collerette isolante (36) noyée est contiguë à une partie dudit au moins un dispositif d'accès (12).
Eine logische Anordnung nach Anspruch 2 oder 3, bei der die statische RAM-Zelle in CMOS-Technologie vier über Kreuz gekoppelte FETs (Q1 bis Q4) enthält.
Un réseau logique, conformément à la revendication 2 ou 3, caractérisé en ce que ladite cellule de mémoire RAM statique de technologie CMOS est constituée de quatre FET interconnectés (Q1 à Q4).
Eine dynamische RAM-Zelle gemäß einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 4, bei der dieses mindestens eine Speichermittel (14) eine Elektrode (32) ist, die in einer isolierten, beabstandeten Beziehung zu dem Substrat (16) angeordnet ist.
Une cellule mémoire à accès aléatoire dynamique selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans laquelle ledit au moins un moyen de stockage (14) est une électrode (32) disposée en une relation espacée, isolante, vis-à-vis dudit substrat (16).
