Vertaling van "Source-" in Frans
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Dünnfilmtransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die durch die Ränder der Source- und der Drainelektrode definierten einander gegenüberliegenden Oberflächen im wesentlichen senkrecht zur Ebene des Substrates gebildet sind.
Transistor à couche mince selon la revendication 1, caractérisé en ce que les surfaces latérales définies par les bords desdites électrodes de source et de drain sont formées pratiquement perpendiculairement au plan du substrat.
Der Source-Anschluss ist in der Regel die negative und die Drain ist die positive (die Namen beziehen sich auf den Source- und Drain-Elektronen).
La borne de source est normalement le négatif, et le drain est le positif (les noms se réfèrent à la source et le drain d'électrons).
Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmtransistors nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß im zweiten Schritt der transparente, leitende Film durch isotropes Ätzen gemustert wird, um geneigte Oberflächen an den einander gegenüberliegenden Seiten der Source- und der Drainelektrode zu bilden.
Procédé de fabrication d'un transistor à couche mince selon la revendication 6, caractérisé en ce que dans ladite seconde étape ledit film conducteur transparent est configuré par attaque isotrope pour former des surfaces amincies sur les côtés opposés desdites électrodes de source et de drain.
Transistor nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, bei dem mindestens einer der Source- und Drain- Bereiche in Bezug auf die Gate- Schicht im wesentlichen selbstjustierend ist.
Transistor selon la revendication 1, 2 ou 3, dans lequel au moins une région prise parmi lesdites régions de source et de drain est sensiblement auto-alignée par rapport à ladite couche de grille.
Programmierbare Schaltung nach Anspruch 3, wobei die genannten Abtastmittel Mittel zum Abtasten des Durchgangs zwischen der genannten Gate-Elektrode und der genannten Source- oder Drain-Elektrode enthalten.
Circuit programmable suivant la revendication 3, dans lequel ledit moyen de détection comprend un moyen pour détecter la continuité entre l'électrode de grille d'une part, et ladite source ou ledit drain d'autre part.
Löschverfahren nach Anspruch 1, wobei der dritte und der vierte Bereich (8-1, 8-2) verlängert sind, um jeweils den Source- und den Drainbereich zu umhüllen.
Procédé d'effacement selon la revendication 1, dans lequel lesdites troisième et quatrième zones (8-1, 8-2) sont allongées de manière à envelopper lesdites zones de source et de drain, respectivement.
Transistor nach einem der Ansprüche 1, 2, 3, 4 oder 5, bei dem sich die Bearbeitungsoberfläche und Bodenfläche der Source oberhalb des Source- Bereichs befinden.
Transistor selon la revendication 1, 2, 3, 4, ou 5, dans lequel lesdites surfaces de sources supérieure et inférieure sont situées au-dessus de ladite région de source.
Halbleiterbauelement mit von Source- und/oder Drain-Gebieten umgebenen Anschlussflächen.
Dispositif semi-conducteur à plages de contact entourées par des régions de source et/ou de drain.
Auf diese dünne Siliziumschicht werden die restlichen Bauteile des Dünnschichttransistors gegeben, einschließlich dielektrischer Bauteile sowie Source- und Drainkontakte.
Sur cette fine couche de dépôt en silicium est construit le reste du transistor, dont les composants diélectriques et les contacts de source et d'anode.
Source- und Sink-Betrieb (4 Quadranten), integrierte kontextsensitive Hilfe am Frontpanel
Fonctionnement de la source et du puits (quatre quadrants), intégré dans le panneau de configuration contextuel
