Vertaling van "Source- und" in Frans
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Herstellungsverfahren von Kontakten zu Source- und Drainbereichen
Elektrisch löschbare und programmierbare Nur-Lese-Speicher mit Source- und Drain-Bereichen entlang Seitenwänden einer Grabenstruktur
Mémoire morte électriquement effaçable et programmable comportant des régions de source et de drain le long des parois latérales d'une structure de tranchée
Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Source- und Drain-Zonen des Speicherelementes angebracht werden, bevor die schwebende Gate-Elektrode mit dem Spacer versehen wird.
Procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les zones de source et de drain de l'élément de mémoire sont prévus avant que la grille flottante ne soit pourvue du séparateur.
Verfahren nach Anspruch 6, bei dem die aktiven Bereiche Source- und Drain-Bereiche umfassen.
Procédé selon la revendication 6, dans lequel lesdites zones actives comprennent des zones de source et de drain.
Lateraler MOSFET nach einem der Ansprüche 1-3 & 4-8, bei dem in wenigstens einigen der Source- und Drain-Zellen die Querschnittsform des Metallkontaktes sechsseitig ist.
Un transistor MOS à effet de champ latéral selon l'une quelconque des revendications 1-3 et 4-8 dans lequel, dans au moins certaines des cellules sources et de drain, une coupe transversale du contact métallique est hexagonale.
Sie haben Source- und Binary-i386-DVDs, die main, contrib, non-free und non-US enthalten.
Parmi eux, on trouve les sources et les binaires i386, comprenant les sections main, contrib, non-free et non-US.
Speichervorrichtung nach Anspruch 1, in welcher die Halbleiteraktivschicht selbstjustierte Source- und Drain-Gebiete hat.
Dispositif de mémoire selon la revendication 1, dans lequel la couche active à semi-conducteur a des régions de source et de drain auto-alignées.
Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, in welchem die gesamte Anzahl der Fenster niedriger als die gesamte Anzahl der Source- und Drain-Bereiche ist.
Un procédé selon la revendication 8 ou la revendication 9, dans lequel le nombre total des fenêtres est inférieur au nombre total des régions de source et de drain.
Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Source- und Drainzonen (39, 40) und das Kanalgebiet (41) des Selektionstransistors sich über die gesamte Breite der Leiterbahn erstrecken.
Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que les zones de source et de drain (39, 40) et la région de canal (41) du transistor de sélection s'étendent sur toute la largeur de la piste conductrice.
Verfahren, wie in Anspruch 6 definiert, das weiter folgenden Schritt umfasst: Implantieren des zweiten Teils (62b) des Emitterbereichs (62) vor Implantieren der Source- und Drain-Bereiche (36, 38).
Procédé tel que défini dans la revendication 6 qui comprend en outre l'étape suivante : l'implantation de la deuxième portion (62b) de la zone d'émetteur (62) avant l'implantation des zones de source et de drain (36, 38).
Methode zur Bildung von Metallsilizidschichten auf Source- und Draingebiete
Méthode pour former des couches de siliciure de métal sur des régions de source et drain
Längen- oder Winkelmeßeinrichtung nach Anspruch 1, wobei zwischen den Source- und Drain-Bereichen (S, D) und der Steuer-Elektrode (G) ein Isolator angeordnet ist.
Dispositif de mesure de longueurs et d'angles selon la revendication 1, dans lequel un isolateur est disposé entre les zones de source et de drain (S, D) et l'électrode de commande (G).
Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei die Auswerteelemente (6, 7, 8) mit den Source- und Drain-Bereichen (S, D) innerhalb des Substrates (2) elektrisch verbunden sind.
Dispositif de mesure de longueurs et d'angles selon la revendication 11, dans lequel les éléments de traitement (6, 7, 8) sont reliés électriquement aux zones de source et de drain (S, D) à l'intérieur du substrat (2).
