Ingenieure entwerfen Schaltungen um die Eigenschaften von p-Typ und n-Typ Materialien herum.
Les ingénieurs conçoivent des circuits autour des propriétés des matériaux de type p et de type n.
Mikrokristalline fluorierte Halbleiterlegierungen vom p-Typ und Verfahren zu deren Herstellung.
Alliages semi-conducteurs microcristallins fluorés de type p et méthode de fabrication.
Verfahren zur Diffusion von Dotierstoffen vom p-Typ in Siliciumscheiben
Procédé de diffusion de dopants de type p dans des disques de silicium
Herstellung von p-Typ Galliumnitrid mit niedrigem Widerstand
Formation de nitrure de gallium de type p à faible résistivité
Thermoelektrische Umwandlungssubstanz vom p-Typ und Herstellungsverfahren dafür
Substance thermoélectrique convertible du type p et son procédé de fabrication
Farbloser Einkristall nach Anspruch 2 oder 3, worin das Dotiermittel vom p-Typ Aluminium umfaßt.
Monocristal incolore selon la revendication 2 ou la revendication 3, dans lequel le dopant du type p comprend de l'aluminium.
Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet , daß die Verunreinigungen sowohl vom n-Typ als auch vom p-Typ sind und zur Bildung eines oder mehrerer pn-Übergänge auf verschiedenen Ebenen dotiert sind.
Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que les impuretés sont de type n ainsi que de type p et en ce qu'elles sont introduites à différents niveaux pour former une ou plusieurs jonctions pn.
Photoelektrische Umwandlungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die anorganische Halbleiterverbindung vom p-Typ eine Halbleiterverbindung des einwertigen Kupfers ist.
Dispositif de conversion photoélectrique selon la revendication 1, dans lequel ledit semi-conducteur composé inorganique de type p est un semi-conducteur composé contenant du cuivre monovalent.
Fotoelektrischer Wandler nach Anspruch 1, wobei die Halbleiterschicht vom p-Typ und/oder die Halbleiterschicht vom n-Typ einen mikrokristallinen Halbleiter umfasst.
Transducteur photoélectrique selon la revendication 1, dans lequel la couche semi-conductrice de type P et/ou la couche semi-conductrice de type N comprend un semi-conducteur microcristallin.
Die Elektrolumineszenzdiode gemäß einem der Ansprüche 4 bis 6, wobei das erste Gebiet mit p-Typ Ladungsträgern bevölkert ist, und wobei ferner das erste Gebiet zwischen dem Substrat und dem zweiten Gebiet angeordnet ist.
Diode électroluminescente selon l'une quelconque des revendications 4 à 6, dans laquelle ladite première région est peuplée de porteurs de type p et en outre dans laquelle ladite première région est disposée entre ledit substrat et ladite seconde région.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Substrat (11) vom p-Typ ist und die erste Dünnfilmschicht ein p-Typ-Diamant ist und eine Gesamtdichte besitzt, die geringer ist als die Lochdichte des Substrates.
Procédé selon la revendication 1, dans lequel ledit substrat (11) est de type p et ladite première couche à film mince est un diamant de type p et possède une densité de trous inférieure à une densité de trous du substrat.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich- net, daß man zwischen einer Dotierung (36) vom p-Typ in den schrägen Flanken (26) Gräben ausführt.
Procédé de fabrication selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on effectue entre un dopage (36) de type p dans les flancs inclines (26) des tranchées.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß man zwischen den Verfahrensschritten g' und h' eine Ionenimplanta- tion (30) vom p-Typ zum Bilden der p-Bereiche (32a) ausführt.
Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'on effectue, entre les étapes g' et h', une implantation (30) d'ions de type p pour former les régions p (32a).
