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A solid-state electron beam generator
Vertaling van "A solid-state electron beam generator" in Duits
Festkörper-Elektronenstrahlerzeuger
A solid-state electron beam generator according to claim 15, wherein a gradient region (504; 720; 748) wherein a mixed crystal ratio of predetermined materials between said first and second regions (502,505; 708,710; 746,750) is changed gradually is provided.
Festkörper-Elektronenstrahlerzeuger nach Anspruch 15, bei dem eine Gradientenzone (504; 720; 748) bereitgestellt ist, in der ein Mischkristallverhältnis von vorgegebenen Materialien zwischen der erwähnten ersten und der erwähnten zweiten Zone (502,505; 708,710; 746,750) allmählich verändert ist.
A solid-state electron beam generator according to claim 15 or 16, wherein an alkali metal material is included in said electron emission surface (312; 508; 712; 758) of said second region (310; 505; 710; 750).
Festkörper-Elektronenstrahlerzeuger nach Anspruch 15 oder 16, bei dem in die erwähnte Elektronenemissionsoberfläche (312; 508; 712; 758) der erwähnten zweiten Zone (310; 505; 710; 750) ein Alkalimetallmaterial eingeschlossen ist.
A solid-state electron beam generator according to claim 10, wherein said first region (502; 708) is a n-type Al x Ga 1-x As layer (0<x<1) and has a predetermined area (503; 709) including oxygen.
Festkörper-Elektronenstrahlerzeuger nach Anspruch 10, bei dem die erwähnte erste Zone (502; 708) eine n-leitende Al x Ga 1-x As-Schicht (0<x<1) ist und einen vorgegebenen Bereich (503; 709) hat, der Sauerstoff enthält.
A solid-state electron beam generator according to claim 1, wherein said solid-state beam generator is provided on a GaAs epitaxial film (206; 606; 640) on a Si substrate (201; 601; 630).
Festkörper-Elektronenstrahlerzeuger nach Anspruch 1, wobei der erwähnte Festkörper-Elektronenstrahlerzeuger auf einer GaAs-Epitaxialschicht (206; 606; 640), die sich auf einem Si-Substrat (201; 601; 630) befindet, bereitgestellt ist.
A solid-state electron beam generator according to claim 4 when dependent on claim 3, wherein said gradient region (404; 620; 648) is substantially formed of Al x Ga 1-x As.
Festkörper-Elektronenstrahlerzeuger nach Anspruch 4, wenn er Anspruch 3 untergeordnet ist, bei dem die erwähnte Gradientenzone (404; 620; 648) im wesentlichen aus Al x Ga 1-x Ga gebildet ist.
A solid-state electron beam generator according to claim 16, wherein said gradient region (504; 720; 748) is a Al x Ga 1-x As layer.
Festkörper-Elektronenstrahlerzeuger nach Anspruch 10, bei dem die erwähnte Gradientenzone (504; 720; 748) eine Al x Ga 1-x As-Schicht ist.
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