CMOS structure in isolated wells with merged depletion regions and method of making same
CMOS-Struktur in isolierten Wannen mit sich vereinigenden Verarmungszonen und Verfahren zu deren Herstellung
Method of forming contiguous self-aligned implanted semiconductor regions and method of forming an integrated CMOS structure.
Selbstjustierendes Verfahren zum Herstellen von aneinandergrenzenden implantierten Halbleiterbereichen und Verfahren zum Herstellen einer integrierten CMOS-Struktur.
A monolithically integrated circuit as defined in claim 2 wherein said first CMOS structure has no field-plates.
Monolithisch integrierte Schaltung nach Anspruch 2, in der die erste CMOS-Struktur keine Feldplatten besitzt.
In embodiments, the reservoir may, for example, as a reagent reservoir or a microchannel in the CMOS structure - be formed - for example in one of the oxide layers.
A Bei Ausführungsbeispielen kann beispielsweise das Reservoir als ein Reagenz-Reservoir oder als Mikrokanal in der CMOS-Struktur - beispielsweise in einer der Oxidschichten - ausgebildet sein.
The semiconductor device as claimed in claim 3, characterized in that the semiconductor crystal (10) has a bipolar and/or CMOS structure.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkristall (10) eine Bipolar- und/oder CMOS-Struktur besitzt.
Method of one of the preceding claims, wherein the integrated circuit further includes a CMOS structure with a first field-effect transistor (318) of a first type and a second field-effect transistor (319) of a second type.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die integrierte Schaltung ferner eine CMOS-Struktur mit einem ersten Feldeffekttransistor (318) eines ersten Typs und einem zweiten Feldeffekttransistor (319) eines zweiten Typs umfasst.
Method of fabricating a CMOS structure having ESD protection
Verfahren zum Herstellen einer CMOS-Struktur mit ESD-Schutz
A single mask process for implanting self-aligned source and drain electrodes to form a cmos structure.
Verfahren zum Implantieren von selbstausrichtenden Source- und Draingebieten mit Hilfe einer einzigen Maske, zum Herstellen einer CMOS-Struktur.
PROCESS FOR FORMING A CMOS STRUCTURE.
VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER CMOS-STRUKTUR.
A LATCH-UP RESISTANT CMOS STRUCTURE FOR VLSI.
CMOS-STRUKTUR FÜR VLSI-SCHALTUNGEN MIT WIDERSTANDSFÄHIGKEIT GEGEN "LATCH-UP" EFFEKT.
A semiconductor memory device according to claim 1, characterized in that said driver is an inverter (33-1 to 33-256) having a CMOS structure or a NOR gate having a CMOS structure.
Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Treiber ein Inverter (33-1 bis 32-256) mit CMOS-Struktur oder ein NOR-Tor mit CMOS-Struktur ist.
A monolithically integrated circuit as defined in claim 1, wherein said first CMOS structure is able to withstand a supply voltage of up to 20V and said second CMOS structure is able to withstand a supply voltage of up to 12V.
Monolithisch integrierte Schaltung nach Anspruch 1, in der die erste CMOS-Struktur einer Versorgungsspannung von bis zu 20 V widerstehen kann und die zweite CMOS-Struktur einer Versorgungsspannung von bis zu 12 V widerstehen kann.
Component according to one of Claims 1 to 7, in which the CMOS structure has at least one field-effect transistor, between whose two connections the zener diode is connected such that it forms a short-circuit in the reverse-biased direction.
Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem die CMOS Struktur zumindest einen Feldeffekttransistor aufweist, zwischen dessen beiden Anschlüssen die Zenerdiode so geschaltet ist, dass sie in Sperrrichtung einen Kurzschluss bildet.