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Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Vielzahl von Halbleiterplättchen (2) einen Dynamic Random Access Memory IC-Chip darstellen.
The semiconductor device according to claim 1, wherein the plurality of said semiconductor dies (2) is a dynamic random access memory integrated circuit chip.
Derzeit erfolgt die Informationsverarbeitung in digitalen Geräten in erster Linie auf Grundlage des Dynamic Random Access Memory (DRAM), ist jedoch mit einem erheblichen Stromverbrauch sowie großen Hindernissen verbunden, wenn die Größe verringert wird.
At present, information processing in digital devices is mainly carried out using dynamic random access memory (DRAM), but it consumes significant power and faces serious hurdles when reduced in size.
Diese Störungen können dazu führen, dass ein einzelnes Bit eines DRAMs (Dynamic Random Access Memory) spontan in den entgegengesetzten Zustand wechselt.
This interference can cause a single bit of DRAM (dynamic random-access memory) to spontaneously change to the opposite state.
DDR-SDRAM (englisch Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) ist ein Typ von Random Access Memory (RAM), das heißt ein spezieller Halbleiterspeicher, den es aktuell in vier Varianten gibt.
Synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) is any dynamic random-access memory (DRAM) where the operation of its external pin interface is coordinated by an externally supplied clock signal.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Halbleitersubstrat (104) ein zum Herstellen von DRAM-(Dynamic Random Access Memory - dynamischer Direktzugriffsspeicher)-Schaltungen verwendetes Substrat darstellt.
The method of claim 1 wherein said semiconductor substrate (104) represents a substrate employed to manufacture dynamic random access memory (DRAM) circuits.
Eine Speicherzeit von Millisekunden bei Raumtemperatur ist die Grundvoraussetzung, um mit der heutigen DRAM-Zelle (Dynamic Random Access Memory) konkurrieren zu können.
A storage time of milliseconds at room temperature is a basic prerequisite in order to compete with today's DRAM (dynamic random access memory).
Dagegen umfassen die Speicherzellen sogenannter DRAM (Dynamic Random Access Memory) Halbleiterspeicher im Allgemeinen nur ein einziges, entsprechend angesteuertes kapazitives Element, zB einen Trench-Kondensator, mit dessen Kapazität jeweils ein Bit als Ladung gespeichert werden kann.
Contrary to this, the memory cells of so-called DRAM (Dynamic Random Access Memory) semiconductor memories comprise in general only one single, correspondingly controlled capacitive element, e.g. a trench capacitor, with the capacitance of which one bit each can be stored as charge.
SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) wurde als Antwort auf die erhöhte Geschwindigkeit in den anderen Computerkomponenten entwickelt.
SDRAM (synchronous dynamic random access memory) was developed in response to increased speed in other computer components.
Integrierte Halbleiterspeicher lassen sich nach der Speicherdauer Flüchtige Halbleiterspeicher wie beispielsweise DRAMs (Dynamic Random Access Memories) besitzen Speicherzellen, die die eingeschriebenen Informationen nur für Bruchteile von Sekunden speichern und daher stets erneut wiederaufgefrischt werden müssen.
Integrated semiconductor memory can be classified according to the storage time of stored information. semiconductor memory such as DRAM (Dynamic Random Access Memories) have memory cells that store the information written only for fractions of seconds and therefore must be refreshed again always.
Zu den Problemen, die bei einem einzelnen Bauelement auftreten, kommt bei einer Speicher-Anordnung noch eine begrenzte Skalierbarkeit des Speichermediums hinzu, beispielsweise kann die Kapazität in einem DRAM ("Dynamic Random Access Memory") nicht beliebig skaliert werden.
Among the problems that occur when a single component, even comes with a memory array by a limited scalability of the storage medium, for example, the capacity in a DRAM ("Dynamic Random Access Memory") can not be scaled.
DRAM (Dynamic Random Access Memory) sind bei der Produktion von PC verwendete Speicherchips.
DRAMs are dynamic random access memory chips used in the production of personal computers.
Beim Dynamic Random Access Memory (DRAM) handelt es sich um einen flüchtigen Datenspeicher. Meist besteht er aus einem Kondensator und Transistoren.
Dynamic Random Access Memory (DRAM) is a volatile type of semiconductor memory chip, on which data is lost after an interruption of the electric power supply.
DRAM Dynamic Random Access Memory ist die Bezeichnung für kostengünstige Speicherchips mit hoher Speicherkapazität, die in digitaler Elektronik (z. B. im Hauptspeicher von Computern) zum Einsatz kommen.
DRAM Dynamic Random Access Memory is a low-cost and high-capacity memory used in digital electronics, including the main memory in computers.
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