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Dynamic semiconductor memory device according
Vertaling van "Dynamic semiconductor memory device according" in Duits
Dynamische Halbleiterspeichereinrichtung nach
Dynamic semiconductor memory device according to claim 9, characterized in that it further comprises an output buffer circuit and that the first potential is supplied to the output buffer circuit.
Dynamische Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß sie ferner eine Ausgangspufferschaltung enthält und daß das erste Potential der Ausgangspufferschaltung zugeführt ist.
Dynamic semiconductor memory device according to claim 1, characterized in that the potentials supplied to the circuit elements include a potential externally supplied and a potential internally generated by lowering the externally supplied potential.
Dynamische Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die den Schaltungselementen zugeführten Potentiale ein Potential enthalten, das extern zugeführt ist, und ein Potential, das intern durch Absenken des extern zugeführten Potentials erzeugt ist.
Dynamic semiconductor memory device according to claim 1, characterized in that the potentials supplied to the circuit elements include a power-supply potential internally generated by lowering a power-supply potential externally supplied and a potential internally generated by lowering the internal power-supply potential.
Dynamische Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die den Schaltungselementen zugeführten Potentiale ein Energieversorgungspotential enthalten, das intern durch Absenken eines extern zugeführten Energieversorgungspotentials erzeugt ist, sowie ein Potential, das intern durch Absenken des internen Energieversorgungspotentials erzeugt ist.
Dynamic semiconductor memory device according to claim 1 characterized in that the voltage lowering means (101) is activated by a signal received via an external terminal (21).
Dynamische Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannungsabsenkvorrichtung (101) durch ein Signal aktiviert ist, das über einen externen Anschluß (21) empfangen ist.
Dynamic semiconductor memory device according to claim 1 characterized in that the voltage lowering means (101) is activated when a signal of a voltage swing is input to a given terminal (111) that lies outside a signal range used during normal operating.
Dynamische Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannungsabsenkvorrichtung (101) dann aktiviert ist, wenn ein Signal gemäß einer Spannungsschwingung bei einem vorgegebenen Anschluß (111) eingegeben wird, die außerhalb eines während dem Normalbetrieb eingesetzten Signalbereichs liegt.
Dynamic semiconductor memory device according to claim 9, characterized in that the word line boosting means (11) is able to set the first potential selectively and reversibly at the same value as the second potential.
Dynamische Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß durch die Wortleitungs-Boostschaltung (11) das erste Potential selektiv und reversibel auf denselben Wert wie das zweite Potential festlegbar ist.
Dynamic semiconductor memory device according to any one of claims 1 to 5, characterized in that it is a DRAM memory device having means (57, 82, 83) for selectively applying a potential to the word lines (WL).
Dynamische Halbleiterspeichereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine DRAM-Speichereinrichtung ist, enthaltend eine Vorrichtung (57, 82, 83) zum selektiven Zuführen eines Potentials zu den Wortleitungen (WL).
A dynamic semiconductor memory device according to claim 1 or 2 in which the level detection circuit comprises an inverter.
Dynamische Halbleiterspeicheranordnung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Höhennachweisschaltung einen Inverter enthält.
A dynamic semiconductor memory device according to claim 4, characterized by further comprising a data transfer circuit (58, 58') connected between said second register and said second bit line.
Dynamische Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 4 gekennzeichnet, indem ferner eine zwischen das zweite Register und die zweite Bitleitung gekoppelte Datenübertragungsschaltung (58, 58') aufweisend.
A dynamic semiconductor memory device according to claim 1, characterized in that the or each said register (5) is constructed by memory cells same as a plurality of memory cells connected to said first bit line.
Dynamische Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das oder jedes Register (5) durch Speicherzellen aufgebaut ist, die die gleichen wie eine Vielzahl von mit der ersten Bitleitung verbundenen Speicherzellen sind.
A dynamic semiconductor memory device according to claim 3 or claim 4 in which the inverter circuit comprises a precharge-discharge type inverter.
Dynamische Halbleiterspeicheranordnung nach Anspruch 3 oder 4, bei der die Inverterschaltung einen Inverter vom LadeEntlade-Typus aufweist.
A dynamic semiconductor memory device according to claim 1 in which the reset means (16) is connected to the refresh address counter so as to operate in response to a predetermined output from said refresh address counter.
Dynamische Halbleiterspeicheranordnung nach Anspruch 1, bei dem die Rücksetzeinrichtung (16) mit dem Auffrischungsadressenzähler verbunden ist, um auf eine vorgegebene Ausgabe des Auffrischungsadressenzählers hin zu arbeiten.
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